一种极紫外GaN UV-LED外延结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110686783.3

申请日：

2021-06-21

公开(公告)号：

CN113299807A

公开(公告)日：

2021-08-24

发明(设计)人：

南琦刘银

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市高新区竹园路209号4号楼2301-12

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3302 H01L3364 H01L3304 H01L3346

代理机构：

北京化育知识产权代理有限公司 11833

代理人：

闫露露

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-24	公开	公开
2021-12-21	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 33/12 申请公布日:20210824
2021-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/12 申请日:20210621

共 50 条

[1]

一种用于极紫外GaN基半导体UV-LED芯片的绝缘结构 [P].

南琦 ;

刘银 .

中国专利 :CN215342584U ,2021-12-28

[2]

紫外GaN基LED外延结构 [P].

冯猛 ;

陈立人 ;

刘恒山 .

中国专利 :CN205406553U ,2016-07-27

[3]

一种UV-LED外延结构及其制备方法 [P].

马后永 ;

游正璋 .

中国专利 :CN108288662A ,2018-07-17

[4]

UV-LED芯片结构 [P].

李永德 ;

王维昀 ;

王后锦 ;

康俊杰 ;

袁冶 ;

罗巍 ;

唐波 ;

张紫珊 .

中国专利 :CN213692085U ,2021-07-13

[5]

一种UV LED外延结构 [P].

李志聪 ;

曹俊文 ;

戴俊 ;

王国宏 .

中国专利 :CN210245534U ,2020-04-03

[6]

紫外GaN基LED外延结构及其制造方法 [P].

冯猛 ;

陈立人 ;

刘恒山 .

中国专利 :CN105742415B ,2016-07-06

[7]

紫外GaN基LED外延结构及其制造方法 [P].

冯猛 ;

陈立人 ;

刘恒山 .

中国专利 :CN105742429A ,2016-07-06

[8]

一种UV-LED光源结构 [P].

刘俊 .

中国专利 :CN209282232U ,2019-08-20

[9]

一种紫外LED外延结构 [P].

何苗 ;

黄波 ;

王成民 ;

周海亮 ;

王润 .

中国专利 :CN107275450A ,2017-10-20

[10]

一种紫外LED外延结构 [P].

何苗 ;

黄波 ;

王成民 ;

周海亮 ;

王润 .

中国专利 :CN207381425U ,2018-05-18

← 1 2 3 4 5 →