用于GaN基半导体LED芯片的绝缘结构及其制造工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310420019.7

申请日：

2013-09-14

公开(公告)号：

CN103489887A

公开(公告)日：

2014-01-01

发明(设计)人：

张帆吴永胜

申请人：

申请人地址：

214192 江苏省无锡市锡山区锡山经济开发区团结北路18号

IPC主分类号：

H01L2715

IPC分类号：

H01L3344 H01L3300

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所 32104

代理人：

曹祖良

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-01	公开	公开
2016-04-13	授权	授权
2014-02-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101567141306 IPC(主分类):H01L 27/15 专利申请号:2013104200197 申请日:20130914

共 50 条

[1]

用于GaN基半导体LED芯片的绝缘结构 [P].

张帆 ;

吴永胜 .

中国专利 :CN203434159U ,2014-02-12

[2]

一种用于极紫外GaN基半导体UV-LED芯片的绝缘结构 [P].

南琦 ;

刘银 .

中国专利 :CN215342584U ,2021-12-28

[3]

半导体结构及其制造工艺 [P].

郭志明 ;

何荣华 ;

张世杰 ;

黄家晔 ;

谢庆堂 .

中国专利 :CN103579149B ,2014-02-12

[4]

GaN基半导体结构 [P].

程凯 .

中国专利 :CN215933615U ,2022-03-01

[5]

GaN基半导体结构及其制备方法 [P].

马欢 ;

房玉川 ;

吴志浩 .

中国专利 :CN118448537A ,2024-08-06

[6]

GaN基半导体器件结构 [P].

郝茂盛 ;

张楠 ;

陈朋 ;

袁根如 .

中国专利 :CN209691720U ,2019-11-26

[7]

制造GaN基半导体器件的方法 [P].

松原秀树 ;

石原邦亮 .

中国专利 :CN103140946A ,2013-06-05

[8]

半导体芯片的封装结构及其制造工艺 [P].

王之奇 ;

邹秋红 ;

俞国庆 ;

王蔚 .

中国专利 :CN101710581A ,2010-05-19

[9]

GaN基半导体发光器件及其制造方法 [P].

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN102473805A ,2012-05-23

[10]

GaN基半导体发光器件及其制造方法 [P].

赵济熙 ;

郭准燮 .

中国专利 :CN101051661A ,2007-10-10

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