GaN基半导体器件结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201920305794.0

申请日：

2019-03-11

公开(公告)号：

CN209691720U

公开(公告)日：

2019-11-26

发明(设计)人：

郝茂盛张楠陈朋袁根如

申请人：

申请人地址：

201209 上海市浦东新区川沙路151号3幢T1046室

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21283

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-26	授权	授权

共 50 条

[1]

GaN基半导体结构 [P].

程凯 .

中国专利 :CN215933615U ,2022-03-01

[2]

GaN基半导体器件 [P].

后藤修 ;

松本治 ;

佐佐木智美 ;

池田昌夫 .

中国专利 :CN100440656C ,2005-09-28

[3]

GaN基半导体器件及其制备方法 [P].

贾海强 ;

赵明龙 ;

陈弘 ;

杜春花 ;

江洋 ;

马紫光 ;

王文新 .

中国专利 :CN111627856A ,2020-09-04

[4]

制造GaN基半导体器件的方法 [P].

松原秀树 ;

石原邦亮 .

中国专利 :CN103140946A ,2013-06-05

[5]

GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法 [P].

盐谷阳平 ;

善积祐介 ;

上野昌纪 ;

秋田胜史 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN103560191A ,2014-02-05

[6]

GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法 [P].

盐谷阳平 ;

善积祐介 ;

上野昌纪 ;

秋田胜史 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN101911322A ,2010-12-08

[7]

GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法 [P].

盐谷阳平 ;

善积祐介 ;

上野昌纪 ;

秋田胜史 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN103560396A ,2014-02-05

[8]

GaN基半导体发光器件及其制造方法 [P].

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN102473805A ,2012-05-23

[9]

GaN基半导体器件及其制作方法 [P].

严威 ;

孙逸 ;

冯美鑫 ;

周宇 ;

孙钱 ;

杨辉 .

中国专利 :CN106684213A ,2017-05-17

[10]

GaN基半导体发光器件及其制造方法 [P].

赵济熙 ;

郭准燮 .

中国专利 :CN101051661A ,2007-10-10

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