GaN基半导体发光器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610168617.X

申请日：

2006-12-20

公开(公告)号：

CN101051661A

公开(公告)日：

2007-10-10

发明(设计)人：

赵济熙郭准燮

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101645078499 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL200610168617X 申请日:20061220 授权公告日:20120418 终止日期:20141220
2012-04-18	授权	授权
2007-10-10	公开	公开
2010-10-27	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101033985966 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:200610168617X 变更事项:申请人变更前权利人:三星电机株式会社变更后权利人:三星LED株式会社变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国京畿道水原市登记生效日:20100909
2009-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-11-21	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101467149811 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL200610168617X 变更事项:专利权人变更前权利人:三星LED株式会社变更后权利人:三星电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道水原市变更后权利人:韩国京畿道登记生效日:20121022

共 50 条

[1]

GaN基半导体发光器件及其制造方法 [P].

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN102473805A ,2012-05-23

[2]

发光半导体器件及其制造方法 [P].

弗拉德斯拉夫·E·鲍格诺夫 ;

马克西姆·A·欧得诺莱多夫 ;

米卡尔·缪洛 .

中国专利 :CN102460743A ,2012-05-16

[3]

基于GaN的半导体发光器件及其制造方法 [P].

大泽弘 ;

程田高史 .

中国专利 :CN101421859B ,2009-04-29

[4]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

裴德圭 .

中国专利 :CN102347415A ,2012-02-08

[5]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

木村重哉 ;

名古肇 ;

岡俊行 ;

橘浩一 ;

彦坂年輝 ;

布上真也 .

中国专利 :CN103943743A ,2014-07-23

[6]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

盐田伦也 ;

原田佳幸 ;

布上真也 .

中国专利 :CN102169931A ,2011-08-31

[7]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

沈炫旭 ;

韩尚宪 ;

韩在雄 ;

申东澈 ;

金制远 ;

李东柱 .

中国专利 :CN103650175A ,2014-03-19

[8]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

木村重哉 ;

名古肇 ;

岡俊行 ;

橘浩一 ;

彦坂年輝 ;

布上真也 .

中国专利 :CN102194942A ,2011-09-21

[9]

GaN基半导体器件 [P].

后藤修 ;

松本治 ;

佐佐木智美 ;

池田昌夫 .

中国专利 :CN100440656C ,2005-09-28

[10]

半导体发光元件及其制造方法和安装方法、发光器件 [P].

东和司 ;

石谷伸治 .

中国专利 :CN101027795A ,2007-08-29

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