半导体发光器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180071914.1

申请日：

2011-07-28

公开(公告)号：

CN103650175A

公开(公告)日：

2014-03-19

发明(设计)人：

沈炫旭韩尚宪韩在雄申东澈金制远李东柱

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L3322

IPC分类号：

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

陈源;张帆

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584097309 IPC(主分类):H01L 33/22 专利申请号:2011800719141 申请日:20110728
2016-12-28	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101744053180 IPC(主分类):H01L 33/22 专利申请号:2011800719141 申请公布日:20140319
2014-03-19	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

裴德圭 .

中国专利 :CN102347415A ,2012-02-08

[2]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

木村重哉 ;

名古肇 ;

岡俊行 ;

橘浩一 ;

彦坂年輝 ;

布上真也 .

中国专利 :CN103943743A ,2014-07-23

[3]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

盐田伦也 ;

原田佳幸 ;

布上真也 .

中国专利 :CN102169931A ,2011-08-31

[4]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

木村重哉 ;

名古肇 ;

岡俊行 ;

橘浩一 ;

彦坂年輝 ;

布上真也 .

中国专利 :CN102194942A ,2011-09-21

[5]

半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 [P].

仓桥孝尚 ;

中津弘志 ;

村上哲朗 ;

大山尚一 .

中国专利 :CN1319183C ,2004-05-19

[6]

一种半导体发光器件及其制造方法 [P].

胡红坡 ;

袁述 .

中国专利 :CN105702819A ,2016-06-22

[7]

基于GaN的半导体发光器件及其制造方法 [P].

大泽弘 ;

程田高史 .

中国专利 :CN101421859B ,2009-04-29

[8]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

细羽弘之 .

中国专利 :CN1080939C ,1997-01-29

[9]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

朴炯兆 ;

姜大成 ;

孙孝根 .

中国专利 :CN101796661A ,2010-08-04

[10]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

小出典克 ;

山本淳次 ;

堂北刚 ;

泽木宣彦 ;

本田善央 ;

黑岩洋佑 ;

山口雅史 .

中国专利 :CN1419301A ,2003-05-21

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