半导体发光器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010275583.0

申请日：

2010-09-08

公开(公告)号：

CN102169931A

公开(公告)日：

2011-08-31

发明(设计)人：

彦坂年辉盐田伦也原田佳幸布上真也

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

H01L3306 H01L3300

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

杨晓光;于静

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-12-18	授权	授权
2011-10-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101120312448 IPC(主分类):H01L 33/02 专利申请号:2010102755830 申请日:20100908
2017-10-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/02 申请日:20100908 授权公告日:20131218 终止日期:20160908
2011-08-31	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

木村重哉 ;

名古肇 ;

岡俊行 ;

橘浩一 ;

彦坂年輝 ;

布上真也 .

中国专利 :CN103943743A ,2014-07-23

[2]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

木村重哉 ;

名古肇 ;

岡俊行 ;

橘浩一 ;

彦坂年輝 ;

布上真也 .

中国专利 :CN102194942A ,2011-09-21

[3]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

小出典克 ;

山本淳次 ;

堂北刚 ;

泽木宣彦 ;

本田善央 ;

黑岩洋佑 ;

山口雅史 .

中国专利 :CN1419301A ,2003-05-21

[4]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

丁焕熙 .

中国专利 :CN101904023A ,2010-12-01

[5]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

高谷邦启 ;

花冈大介 ;

石田真也 .

中国专利 :CN101222117B ,2008-07-16

[6]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

裴德圭 .

中国专利 :CN102347415A ,2012-02-08

[7]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

李雄 ;

朴允硕 ;

曹元根 ;

张昭英 .

中国专利 :CN102074627B ,2011-05-25

[8]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

田中健一郎 ;

久保雅男 .

中国专利 :CN100446280C ,2006-09-06

[9]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

沈炫旭 ;

韩尚宪 ;

韩在雄 ;

申东澈 ;

金制远 ;

李东柱 .

中国专利 :CN103650175A ,2014-03-19

[10]

半导体发光器件和氮化物半导体发光器件 [P].

驹田聪 .

中国专利 :CN101276875B ,2008-10-01

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