GaN基半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510752667.1

申请日：

2015-11-06

公开(公告)号：

CN106684213A

公开(公告)日：

2017-05-17

发明(设计)人：

严威孙逸冯美鑫周宇孙钱杨辉

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01S5343

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王锋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101726047444 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2015107526671 申请日:20151106
2019-01-15	授权	授权
2017-05-17	公开	公开

共 50 条

[1]

GaN基半导体发光元件及其制作方法 [P].

奥山浩之 ;

琵琶刚志 .

中国专利 :CN101142693A ,2008-03-12

[2]

GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法 [P].

盐谷阳平 ;

善积祐介 ;

上野昌纪 ;

秋田胜史 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN103560191A ,2014-02-05

[3]

GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法 [P].

盐谷阳平 ;

善积祐介 ;

上野昌纪 ;

秋田胜史 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN101911322A ,2010-12-08

[4]

GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法 [P].

盐谷阳平 ;

善积祐介 ;

上野昌纪 ;

秋田胜史 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN103560396A ,2014-02-05

[5]

氮化物半导体发光器件及其制作方法 [P].

孙钱 ;

冯美鑫 ;

周宇 ;

高宏伟 ;

杨辉 .

中国专利 :CN108305918B ,2018-07-20

[6]

GaN基半导体器件 [P].

后藤修 ;

松本治 ;

佐佐木智美 ;

池田昌夫 .

中国专利 :CN100440656C ,2005-09-28

[7]

GaN基半导体器件及其制备方法 [P].

贾海强 ;

赵明龙 ;

陈弘 ;

杜春花 ;

江洋 ;

马紫光 ;

王文新 .

中国专利 :CN111627856A ,2020-09-04

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

谢志勇 .

中国专利 :CN105990111A ,2016-10-05

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

李培权 ;

薛广杰 ;

刘志文 .

中国专利 :CN119560481A ,2025-03-04

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

约瑟夫·俄依恩扎 .

中国专利 :CN102867857A ,2013-01-09

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