半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210374590.5

申请日：

2012-09-29

公开(公告)号：

CN102867857A

公开(公告)日：

2013-01-09

发明(设计)人：

约瑟夫·俄依恩扎

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新西区出口加工区（西区）科新路8号

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L21329 H01L2706

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

王波波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101397923793 IPC(主分类):H01L 29/872 专利申请号:2012103745905 申请日:20120929
2015-11-04	授权	授权
2013-01-09	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

约瑟夫·俄依恩扎 .

中国专利 :CN202839623U ,2013-03-27

[2]

半导体器件及其制作方法 [P].

吕瑞霖 ;

辜良智 ;

李由 .

中国专利 :CN104835854A ,2015-08-12

[3]

半导体器件及其制作方法 [P].

蔡宗叡 .

中国专利 :CN111129107A ,2020-05-08

[4]

半导体器件及其制作方法 [P].

蔡宗叡 .

中国专利 :CN111129107B ,2024-08-09

[5]

半导体器件及其制作方法 [P].

程慷果 ;

R·迪瓦卡鲁尼 ;

C·J·拉登斯 .

中国专利 :CN101086993A ,2007-12-12

[6]

半导体器件结构及其制作方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN102956486A ,2013-03-06

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

刘煊杰 ;

陈晓军 .

中国专利 :CN103000571B ,2013-03-27

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

王津洲 .

中国专利 :CN101246903A ,2008-08-20

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

朱慧珑 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102214690A ,2011-10-12

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

毛智彪 ;

胡友存 .

中国专利 :CN102969269A ,2013-03-13

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