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半导体器件及其制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201010145090.5
申请日：
2010-04-09
公开(公告)号：
CN102214690A
公开(公告)日：
2011-10-12
发明(设计)人：
骆志炯
朱慧珑
尹海洲
申请人：
申请人地址：
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2906
H01L2936
H01L21336
代理机构：
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人：
倪斌
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2011-11-30 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101143712632 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2010101450905 申请日:20100409 |
| 2011-10-12 | 公开 | 公开 |
| 2013-11-20 | 发明专利申请公布后的视为撤回 | 发明专利申请公布后的视为撤回 号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101673453747 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2010101450905 申请公布日:20111012 |