半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111468676.X

申请日：

2021-12-03

公开(公告)号：

CN114156383A

公开(公告)日：

2022-03-08

发明(设计)人：

伏兵嵇庆培马英杰蔡和勋许宗琦

申请人：

申请人地址：

225101 江苏省扬州市下圩河路8号

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3300 H01L3312 H01L3330

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

王娇娇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/06 申请日:20211203
2022-03-08	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制作方法 [P].

伏兵 ;

嵇庆培 ;

马英杰 ;

蔡和勋 ;

许宗琦 .

中国专利 :CN114156383B ,2024-06-21

[2]

半导体器件及其制作方法 [P].

刘煊杰 ;

陈晓军 .

中国专利 :CN103000571B ,2013-03-27

[3]

半导体器件及其制作方法 [P].

王津洲 .

中国专利 :CN101246903A ,2008-08-20

[4]

半导体器件及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

朱慧珑 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102214690A ,2011-10-12

[5]

半导体器件及其制作方法 [P].

毛智彪 ;

胡友存 .

中国专利 :CN102969269A ,2013-03-13

[6]

半导体器件及其制作方法 [P].

张春艳 ;

孙鹏 ;

李恒甫 ;

包焓 ;

曹立强 .

中国专利 :CN110690164A ,2020-01-14

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

宛伟 .

中国专利 :CN111128895A ,2020-05-08

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

王津洲 .

中国专利 :CN101211970B ,2008-07-02

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

毛智彪 ;

胡友存 .

中国专利 :CN102969271A ,2013-03-13

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

蒋莉 .

中国专利 :CN104716030B ,2015-06-17

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