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半导体器件及其制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010634353.2
申请日：
2020-07-02
公开(公告)号：
CN113889572A
公开(公告)日：
2022-01-04
发明(设计)人：
缪海生
张建栋
冯冰
申请人：
申请人地址：
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
IPC主分类号：
H01L4902
IPC分类号：
代理机构：
北京市磐华律师事务所 11336
代理人：
高伟
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-01-04 | 公开 | 公开 |
| 2022-01-21 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 49/02 申请日:20200702 |