GaN基半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510752667.1

申请日：

2015-11-06

公开(公告)号：

CN106684213A

公开(公告)日：

2017-05-17

发明(设计)人：

严威孙逸冯美鑫周宇孙钱杨辉

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01S5343

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王锋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101726047444 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2015107526671 申请日:20151106
2019-01-15	授权	授权
2017-05-17	公开	公开

共 50 条

[21]

半导体发光器件及其制作方法 [P].

黎子兰 ;

李成果 ;

张树昕 ;

燕英强 ;

刘晓燕 .

中国专利 :CN110165027A ,2019-08-23

[22]

半导体结构及其制作方法、半导体器件及其制作方法 [P].

肖文静 ;

梅立波 ;

王欢 ;

肖亮 ;

潘震 ;

刘雅琴 .

中国专利 :CN121035061A ,2025-11-28

[23]

GaN基HEMT器件及其制作方法 [P].

谭庶欣 .

中国专利 :CN111223777A ,2020-06-02

[24]

一种半导体器件及其制作方法 [P].

谭桂英 ;

曲晓东 .

中国专利 :CN120529611A ,2025-08-22

[25]

氮化镓基半导体器件及其制作方法 [P].

林科闯 ;

房育涛 ;

刘波亭 ;

毛张文 ;

李健 ;

张恺玄 ;

杨健 .

中国专利 :CN110600547B ,2019-12-20

[26]

半导体器件及其制作方法 [P].

刘煊杰 ;

陈晓军 .

中国专利 :CN103000571B ,2013-03-27

[27]

半导体器件及其制作方法 [P].

王津洲 .

中国专利 :CN101246903A ,2008-08-20

[28]

半导体器件及其制作方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN109037330A ,2018-12-18

[29]

半导体器件及其制作方法 [P].

胡敏达 ;

周俊卿 ;

张海洋 .

中国专利 :CN102543845A ,2012-07-04

[30]

半导体器件及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

朱慧珑 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102214690A ,2011-10-12

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