半导体发光器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910482799.5

申请日：

2019-06-04

公开(公告)号：

CN110165027A

公开(公告)日：

2019-08-23

发明(设计)人：

黎子兰李成果张树昕燕英强刘晓燕

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市天河区长兴路363号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3310

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463

代理人：

徐彦圣

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-19	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/00 申请公布日:20190823
2019-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20190604
2019-08-23	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光器件及其制作方法 [P].

阿部宗造 ;

吉田智彦 .

中国专利 :CN1691361A ,2005-11-02

[2]

半导体发光器件及其制作方法 [P].

曹明德 ;

刘华容 ;

吕军 ;

王定理 ;

黄晓东 .

中国专利 :CN113113519B ,2021-07-13

[3]

半导体发光器件及其制作方法 [P].

黎子兰 ;

李成果 ;

张树昕 .

中国专利 :CN109979957A ,2019-07-05

[4]

半导体发光器件及其制作方法 [P].

黎子兰 ;

李成果 ;

张树昕 .

中国专利 :CN109979957B ,2024-05-17

[5]

半导体发光器件及其制作方法 [P].

R·I·奥尔达兹 ;

J·E·埃普勒 ;

P·N·格利洛特 ;

M·R·克拉梅斯 .

中国专利 :CN101897048B ,2010-11-24

[6]

半导体芯片、半导体发光器件及其制作方法 [P].

肖怀曙 .

中国专利 :CN102956783B ,2013-03-06

[7]

UVC半导体发光器件及其制作方法 [P].

季韬 ;

单卫平 ;

赵海明 ;

胡新星 ;

仇成功 ;

严晨曦 ;

刘志远 .

中国专利 :CN113078248A ,2021-07-06

[8]

LED芯片及其制作方法以及半导体发光器件及其制作方法 [P].

冯岩 .

中国专利 :CN112951967A ,2021-06-11

[9]

氮化物半导体发光器件及其制作方法 [P].

川岛毅士 .

中国专利 :CN107464863B ,2017-12-12

[10]

一种半导体发光器件及其制作方法 [P].

戴俊 ;

李志聪 ;

王国宏 .

中国专利 :CN110416249B ,2024-06-07

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