半导体发光器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910200093.5

申请日：

2019-03-15

公开(公告)号：

CN109979957B

公开(公告)日：

2024-05-17

发明(设计)人：

黎子兰李成果张树昕

申请人：

广东省半导体产业技术研究院

申请人地址：

510000 广东省广州市天河区长兴路363号

IPC主分类号：

H01L27/15

IPC分类号：

代理机构：

北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371

代理人：

郭俊霞

法律状态：

授权

国省代码：

广东省

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-17	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体发光器件及其制作方法 [P].

黎子兰 ;

李成果 ;

张树昕 .

中国专利 :CN109979957A ,2019-07-05

[2]

半导体发光器件 [P].

黎子兰 ;

李成果 ;

张树昕 .

中国专利 :CN209561410U ,2019-10-29

[3]

半导体芯片、半导体发光器件及其制作方法 [P].

肖怀曙 .

中国专利 :CN102956783B ,2013-03-06

[4]

半导体发光器件及其制作方法 [P].

阿部宗造 ;

吉田智彦 .

中国专利 :CN1691361A ,2005-11-02

[5]

半导体发光器件及其制作方法 [P].

曹明德 ;

刘华容 ;

吕军 ;

王定理 ;

黄晓东 .

中国专利 :CN113113519B ,2021-07-13

[6]

半导体发光器件及其制作方法 [P].

黎子兰 ;

李成果 ;

张树昕 ;

燕英强 ;

刘晓燕 .

中国专利 :CN110165027A ,2019-08-23

[7]

半导体发光器件及其制作方法 [P].

R·I·奥尔达兹 ;

J·E·埃普勒 ;

P·N·格利洛特 ;

M·R·克拉梅斯 .

中国专利 :CN101897048B ,2010-11-24

[8]

UVC半导体发光器件及其制作方法 [P].

季韬 ;

单卫平 ;

赵海明 ;

胡新星 ;

仇成功 ;

严晨曦 ;

刘志远 .

中国专利 :CN113078248A ,2021-07-06

[9]

氮化物半导体发光器件及其制作方法 [P].

川岛毅士 .

中国专利 :CN107464863B ,2017-12-12

[10]

氮化物半导体发光器件及其制作方法 [P].

川岛毅士 .

中国专利 :CN103715314A ,2014-04-09

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