半导体发光器件及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110328397.7
申请日
2021-03-26
公开(公告)号
CN113113519B
公开(公告)日
2021-07-13
发明(设计)人
曹明德 刘华容 吕军 王定理 黄晓东
申请人
申请人地址
430074 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号
IPC主分类号
H01L3314
IPC分类号
H01L3300
代理机构
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人
高天华;张颖玲
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体发光器件及其制作方法 [P]. 
R·I·奥尔达兹 ;
J·E·埃普勒 ;
P·N·格利洛特 ;
M·R·克拉梅斯 .
中国专利 :CN101897048B ,2010-11-24
[2]
半导体发光器件及其制作方法 [P]. 
阿部宗造 ;
吉田智彦 .
中国专利 :CN1691361A ,2005-11-02
[3]
半导体发光器件及其制作方法 [P]. 
黎子兰 ;
李成果 ;
张树昕 ;
燕英强 ;
刘晓燕 .
中国专利 :CN110165027A ,2019-08-23
[4]
半导体发光器件及其制作方法 [P]. 
黎子兰 ;
李成果 ;
张树昕 .
中国专利 :CN109979957A ,2019-07-05
[5]
半导体发光器件及其制作方法 [P]. 
黎子兰 ;
李成果 ;
张树昕 .
中国专利 :CN109979957B ,2024-05-17
[6]
半导体芯片、半导体发光器件及其制作方法 [P]. 
肖怀曙 .
中国专利 :CN102956783B ,2013-03-06
[7]
UVC半导体发光器件及其制作方法 [P]. 
季韬 ;
单卫平 ;
赵海明 ;
胡新星 ;
仇成功 ;
严晨曦 ;
刘志远 .
中国专利 :CN113078248A ,2021-07-06
[8]
改进电光特性的半导体发光器件及其制作方法 [P]. 
张东勋 .
中国专利 :CN1360376A ,2002-07-24
[9]
LED芯片及其制作方法以及半导体发光器件及其制作方法 [P]. 
冯岩 .
中国专利 :CN112951967A ,2021-06-11
[10]
半导体结构及其制作方法、发光器件及其制作方法 [P]. 
张丽旸 .
中国专利 :CN116420239B ,2025-07-25