半导体结构及其制作方法、发光器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080106630.0

申请日：

2020-11-18

公开(公告)号：

CN116420239B

公开(公告)日：

2025-07-25

发明(设计)人：

张丽旸

申请人：

苏州晶湛半导体有限公司

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室

IPC主分类号：

H10H20/821

IPC分类号：

代理机构：

北京博思佳知识产权代理有限公司 11415

代理人：

林祥

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-25	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体发光器件及其制作方法 [P].

R·I·奥尔达兹 ;

J·E·埃普勒 ;

P·N·格利洛特 ;

M·R·克拉梅斯 .

中国专利 :CN101897048B ,2010-11-24

[2]

半导体结构及其制作方法、半导体器件及其制作方法 [P].

肖文静 ;

梅立波 ;

王欢 ;

肖亮 ;

潘震 ;

刘雅琴 .

中国专利 :CN121035061A ,2025-11-28

[3]

半导体发光器件及其制作方法 [P].

曹明德 ;

刘华容 ;

吕军 ;

王定理 ;

黄晓东 .

中国专利 :CN113113519B ,2021-07-13

[4]

半导体器件及其制作方法 [P].

李倩 ;

伍术 ;

肖亮 .

中国专利 :CN114005836A ,2022-02-01

[5]

半导体器件及其制作方法 [P].

王迪 ;

周文犀 ;

夏志良 .

中国专利 :CN120835529A ,2025-10-24

[6]

半导体器件及其制作方法 [P].

程慷果 ;

R·迪瓦卡鲁尼 ;

C·J·拉登斯 .

中国专利 :CN101086993A ,2007-12-12

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

李倩 ;

伍术 ;

肖亮 .

中国专利 :CN114005836B ,2025-12-19

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

赵祎 ;

肖亮 ;

苗利娜 ;

伍术 ;

李倩 .

中国专利 :CN114759037A ,2022-07-15

[9]

半导体器件结构及其制作方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN111446291A ,2020-07-24

[10]

半导体器件结构及其制作方法 [P].

丁士成 .

中国专利 :CN104617044A ,2015-05-13

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