学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

半导体器件及其制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410462962.2
申请日：
2024-04-16
公开(公告)号：
CN120835529A
公开(公告)日：
2025-10-24
发明(设计)人：
王迪 周文犀 夏志良
申请人：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址：
430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
IPC主分类号：
H10B12/00
IPC分类号：
代理机构：
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人：
何文平;张颖玲
法律状态：
公开
国省代码：
河北省 石家庄市
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-24 公开 公开
2025-11-11 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20240416
共 50 条
[1]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
李倩 ;
伍术 ;
肖亮 .
中国专利 :CN114005836A ,2022-02-01
[2]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
程慷果 ;
R·迪瓦卡鲁尼 ;
C·J·拉登斯 .
中国专利 :CN101086993A ,2007-12-12
[3]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
李倩 ;
伍术 ;
肖亮 .
中国专利 :CN114005836B ,2025-12-19
[4]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
赵祎 ;
肖亮 ;
苗利娜 ;
伍术 ;
李倩 .
中国专利 :CN114759037A ,2022-07-15
[5]
半导体器件结构及其制作方法 [P]. 
肖德元 .
中国专利 :CN109244073B ,2019-01-18
[6]
半导体结构及其制作方法、半导体器件及其制作方法 [P]. 
肖文静 ;
梅立波 ;
王欢 ;
肖亮 ;
潘震 ;
刘雅琴 .
中国专利 :CN121035061A ,2025-11-28
[7]
半导体结构及其制作方法以及半导体器件 [P]. 
冯昕 ;
深作克彦 .
中国专利 :CN119451166A ,2025-02-14
[8]
半导体结构及其制作方法以及半导体器件 [P]. 
冯昕 ;
深作克彦 .
中国专利 :CN119451166B ,2025-10-14
[9]
半导体结构及其制作方法、发光器件及其制作方法 [P]. 
张丽旸 .
中国专利 :CN116420239B ,2025-07-25
[10]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
罗杰 ;
赵祥辉 .
中国专利 :CN112018121A ,2020-12-01
12345