半导体结构及其制作方法以及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411506656.0

申请日：

2024-10-25

公开(公告)号：

CN119451166B

公开(公告)日：

2025-10-14

发明(设计)人：

冯昕深作克彦

申请人：

长鑫科技集团股份有限公司

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H10D30/60

IPC分类号：

H10D30/01 H10F39/12 H10F39/18

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省宣城市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-14	公开	公开
2025-10-14	授权	授权
2025-03-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/60申请日:20241025

共 50 条

[1]

半导体结构及其制作方法以及半导体器件 [P].

冯昕 ;

深作克彦 .

中国专利 :CN119451166A ,2025-02-14

[2]

半导体结构、半导体结构的制作方法以及半导体器件 [P].

张鹏 ;

冯尹 .

中国专利 :CN117059673B ,2024-02-27

[3]

半导体结构的制作方法、半导体结构以及半导体器件 [P].

席鑫 ;

苏康 ;

李亚民 ;

李国庆 ;

李南君 ;

郭建文 .

中国专利 :CN118398731B ,2024-11-19

[4]

半导体结构的制作方法、半导体结构以及半导体器件 [P].

席鑫 ;

苏康 ;

李亚民 ;

李国庆 ;

李南君 ;

郭建文 .

中国专利 :CN118398731A ,2024-07-26

[5]

半导体结构及其制作方法、半导体器件 [P].

梅敏 ;

袁娜 ;

吴柱锋 .

中国专利 :CN119275202A ,2025-01-07

[6]

半导体结构及其制作方法、半导体器件 [P].

叶李欣 ;

杨弘 .

中国专利 :CN115394709A ,2022-11-25

[7]

半导体结构的制作方法、半导体结构及其半导体器件 [P].

杨谦 .

中国专利 :CN118647203A ,2024-09-13

[8]

半导体器件的制作方法、半导体器件以及MRAM [P].

曾定桂 ;

孟凡涛 ;

王耀华 .

中国专利 :CN118042913A ,2024-05-14

[9]

半导体结构及其制作方法、半导体器件及其制作方法 [P].

肖文静 ;

梅立波 ;

王欢 ;

肖亮 ;

潘震 ;

刘雅琴 .

中国专利 :CN121035061A ,2025-11-28

[10]

半导体器件以及半导体器件的制作方法 [P].

陈晓妍 ;

朱敏 ;

陈立业 .

中国专利 :CN117747612B ,2024-05-24

← 1 2 3 4 5 →