半导体结构的制作方法、半导体结构以及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410832660.X

申请日：

2024-06-26

公开(公告)号：

CN118398731B

公开(公告)日：

2024-11-19

发明(设计)人：

席鑫苏康李亚民李国庆李南君郭建文

申请人：

山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司

申请人地址：

250000 山东省济南市高新区港西路2177号港盛大厦4层401室

IPC主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/12 C01B3/04 B01J35/39 B01J27/24

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

霍文娟

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-19	授权	授权
2024-08-13	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/00申请日:20240626
2024-07-26	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构的制作方法、半导体结构以及半导体器件 [P].

席鑫 ;

苏康 ;

李亚民 ;

李国庆 ;

李南君 ;

郭建文 .

中国专利 :CN118398731A ,2024-07-26

[2]

半导体结构、半导体结构的制作方法以及半导体器件 [P].

张鹏 ;

冯尹 .

中国专利 :CN117059673B ,2024-02-27

[3]

半导体结构的制作方法以及半导体结构 [P].

吴保润 ;

刘忠明 .

中国专利 :CN121013326A ,2025-11-25

[4]

半导体结构的制作方法以及半导体结构 [P].

张新成 ;

丁健忠 ;

张俊 ;

王沛萌 ;

郗宁 ;

张根西 ;

汪屿 .

中国专利 :CN121194462A ,2025-12-23

[5]

半导体结构的制作方法及半导体结构、半导体器件 [P].

杨国文 ;

刘育衔 .

中国专利 :CN112134142B ,2020-12-25

[6]

半导体结构的制作方法、半导体结构及其半导体器件 [P].

杨谦 .

中国专利 :CN118647203A ,2024-09-13

[7]

半导体结构及其制作方法以及半导体器件 [P].

冯昕 ;

深作克彦 .

中国专利 :CN119451166A ,2025-02-14

[8]

半导体结构及其制作方法以及半导体器件 [P].

冯昕 ;

深作克彦 .

中国专利 :CN119451166B ,2025-10-14

[9]

半导体结构的制作方法以及半导体结构 [P].

杨永刚 .

中国专利 :CN113948386A ,2022-01-18

[10]

半导体结构以及半导体结构的制作方法 [P].

郭琦 ;

杨孝东 ;

贺谋飞 ;

张晨阳 ;

李磊 .

中国专利 :CN121240436A ,2025-12-30

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