半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111273216.1

申请日：

2021-10-29

公开(公告)号：

CN114005836B

公开(公告)日：

2025-12-19

发明(设计)人：

李倩伍术肖亮

申请人：

长江存储科技有限责任公司

申请人地址：

430205 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

IPC主分类号：

H10B43/35

IPC分类号：

H10B43/50 H10B43/27

代理机构：

深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570

代理人：

李莎

法律状态：

授权

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-19	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制作方法 [P].

李倩 ;

伍术 ;

肖亮 .

中国专利 :CN114005836A ,2022-02-01

[2]

半导体器件及其制作方法 [P].

王迪 ;

周文犀 ;

夏志良 .

中国专利 :CN120835529A ,2025-10-24

[3]

半导体器件及其制作方法 [P].

程慷果 ;

R·迪瓦卡鲁尼 ;

C·J·拉登斯 .

中国专利 :CN101086993A ,2007-12-12

[4]

半导体器件及其制作方法 [P].

赵祎 ;

肖亮 ;

苗利娜 ;

伍术 ;

李倩 .

中国专利 :CN114759037A ,2022-07-15

[5]

半导体结构及其制作方法、半导体器件及其制作方法 [P].

肖文静 ;

梅立波 ;

王欢 ;

肖亮 ;

潘震 ;

刘雅琴 .

中国专利 :CN121035061A ,2025-11-28

[6]

半导体结构及其制作方法、发光器件及其制作方法 [P].

张丽旸 .

中国专利 :CN116420239B ,2025-07-25

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

罗杰 ;

赵祥辉 .

中国专利 :CN112018121A ,2020-12-01

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

马欢 ;

房玉川 ;

吴志浩 .

中国专利 :CN117712143A ,2024-03-15

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

汤召辉 ;

张磊 ;

周玉婷 ;

乔思 .

中国专利 :CN114093884A ,2022-02-25

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

杨星梅 ;

冯冠松 ;

薛磊 ;

王健舻 ;

曾明 ;

曾凡清 .

中国专利 :CN112259545B ,2021-01-22

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