半导体发光器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510066954.3

申请日：

2005-04-22

公开(公告)号：

CN1691361A

公开(公告)日：

2005-11-02

发明(设计)人：

阿部宗造吉田智彦

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

陈瑞丰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-11-02	公开	公开
2008-04-23	授权	授权
2005-12-28	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体发光器件及其制作方法 [P].

曹明德 ;

刘华容 ;

吕军 ;

王定理 ;

黄晓东 .

中国专利 :CN113113519B ,2021-07-13

[2]

半导体发光器件及其制作方法 [P].

黎子兰 ;

李成果 ;

张树昕 ;

燕英强 ;

刘晓燕 .

中国专利 :CN110165027A ,2019-08-23

[3]

半导体发光器件及其制作方法 [P].

黎子兰 ;

李成果 ;

张树昕 .

中国专利 :CN109979957A ,2019-07-05

[4]

半导体发光器件及其制作方法 [P].

黎子兰 ;

李成果 ;

张树昕 .

中国专利 :CN109979957B ,2024-05-17

[5]

半导体发光器件及其制作方法 [P].

R·I·奥尔达兹 ;

J·E·埃普勒 ;

P·N·格利洛特 ;

M·R·克拉梅斯 .

中国专利 :CN101897048B ,2010-11-24

[6]

半导体芯片、半导体发光器件及其制作方法 [P].

肖怀曙 .

中国专利 :CN102956783B ,2013-03-06

[7]

UVC半导体发光器件及其制作方法 [P].

季韬 ;

单卫平 ;

赵海明 ;

胡新星 ;

仇成功 ;

严晨曦 ;

刘志远 .

中国专利 :CN113078248A ,2021-07-06

[8]

LED芯片及其制作方法以及半导体发光器件及其制作方法 [P].

冯岩 .

中国专利 :CN112951967A ,2021-06-11

[9]

氮化物半导体发光器件及其制作方法 [P].

川岛毅士 .

中国专利 :CN107464863B ,2017-12-12

[10]

一种半导体发光器件及其制作方法 [P].

戴俊 ;

李志聪 ;

王国宏 .

中国专利 :CN110416249B ,2024-06-07

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