半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810803203.2

申请日：

2018-07-20

公开(公告)号：

CN109037330A

公开(公告)日：

2018-12-18

发明(设计)人：

刘美华林信南刘岩军

申请人：

申请人地址：

518052 广东省深圳市前海深港合作区前海一路1号A栋201室

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393

代理人：

夏声平

法律状态：

发明专利申请公布后的撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-07	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 29/778 申请公布日:20181218
2018-12-18	公开	公开
2019-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20180720

共 50 条

[1]

半导体器件及其制作方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN109037328A ,2018-12-18

[2]

半导体器件及其制作方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN109065622A ,2018-12-21

[3]

半导体器件及其制作方法 [P].

林信南 ;

刘美华 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN109524461A ,2019-03-26

[4]

半导体器件及其制作方法 [P].

赵树峰 .

中国专利 :CN109786453B ,2019-05-21

[5]

半导体器件及其制作方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN109103104A ,2018-12-28

[6]

半导体器件及其制作方法 [P].

雒曲 ;

徐政业 .

中国专利 :CN113270405A ,2021-08-17

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

吴俊峰 ;

邓光敏 ;

赵树 .

中国专利 :CN108807525A ,2018-11-13

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

罗梓源 ;

曾清秋 ;

许志维 .

中国专利 :CN108735599A ,2018-11-02

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

雒曲 ;

徐政业 .

中国专利 :CN113270405B ,2024-08-02

[10]

半导体结构及其制作方法、半导体器件 [P].

梅敏 ;

袁娜 ;

吴柱锋 .

中国专利 :CN119275202A ,2025-01-07

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