半导体器件及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810803203.2
申请日
2018-07-20
公开(公告)号
CN109037330A
公开(公告)日
2018-12-18
发明(设计)人
刘美华 林信南 刘岩军
申请人
申请人地址
518052 广东省深圳市前海深港合作区前海一路1号A栋201室
IPC主分类号
H01L29778
IPC分类号
H01L21335
代理机构
深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393
代理人
夏声平
法律状态
发明专利申请公布后的撤回
国省代码
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共 50 条
[21]
一种功率半导体器件及其制作方法 [P]. 
朱袁正 ;
周锦程 .
中国专利 :CN110993683B ,2024-08-02
[22]
一种功率半导体器件及其制作方法 [P]. 
朱袁正 ;
周锦程 .
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[23]
半导体器件和半导体器件制作方法 [P]. 
童小东 ;
邢利敏 .
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[24]
一种半导体器件及其制作方法 [P]. 
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[25]
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房育涛 ;
刘波亭 ;
毛张文 ;
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[26]
一种半导体器件及其制作方法 [P]. 
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[27]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
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[28]
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[29]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
刘煊杰 ;
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[30]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
王津洲 .
中国专利 :CN101246903A ,2008-08-20