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一种功率半导体器件及其制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910805820.0
申请日：
2019-08-29
公开(公告)号：
CN110400836B
公开(公告)日：
2025-03-21
发明(设计)人：
朱袁正
周锦程
申请人：
无锡新洁能股份有限公司
申请人地址：
214028 江苏省无锡市新吴区电腾路6号
IPC主分类号：
H10D62/10
IPC分类号：
H10D30/66
H10D30/01
代理机构：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104
代理人：
曹祖良;陈丽丽
法律状态：
著录事项变更
国省代码：
江苏省
无锡市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-12-27 | 著录事项变更 | 著录事项变更IPC(主分类):H01L 29/06变更事项:申请人变更前:无锡新洁能股份有限公司变更后:无锡新洁能股份有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼变更后:214028 江苏省无锡市新吴区电腾路6号 |
| 2025-03-21 | 授权 | 授权 |