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半导体器件及其制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811124144.2
申请日：
2018-09-26
公开(公告)号：
CN109524461A
公开(公告)日：
2019-03-26
发明(设计)人：
林信南 刘美华 刘岩军
申请人：
申请人地址：
518052 广东省深圳市前海深港合作区前海一路1号A栋201室
IPC主分类号：
H01L29778
IPC分类号：
H01L21335 H01L2906 H01L2941
代理机构：
深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393
代理人：
夏声平
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-04-19 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20180926
2019-03-26 公开 公开
2021-06-22 发明专利申请公布后的撤回 发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 29/778 申请公布日:20190326
共 50 条
[1]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
刘美华 ;
林信南 ;
刘岩军 .
中国专利 :CN109037330A ,2018-12-18
[2]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
刘美华 ;
林信南 ;
刘岩军 .
中国专利 :CN109037328A ,2018-12-18
[3]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
刘美华 ;
林信南 ;
刘岩军 .
中国专利 :CN109103104A ,2018-12-28
[4]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
刘美华 ;
林信南 ;
刘岩军 .
中国专利 :CN109065622A ,2018-12-21
[5]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
雒曲 ;
徐政业 .
中国专利 :CN113270405A ,2021-08-17
[6]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
罗梓源 ;
曾清秋 ;
许志维 .
中国专利 :CN108735599A ,2018-11-02
[7]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
雒曲 ;
徐政业 .
中国专利 :CN113270405B ,2024-08-02
[8]
半导体结构及其制作方法、半导体器件 [P]. 
梅敏 ;
袁娜 ;
吴柱锋 .
中国专利 :CN119275202A ,2025-01-07
[9]
半导体结构及其制作方法、半导体器件及其制作方法 [P]. 
肖文静 ;
梅立波 ;
王欢 ;
肖亮 ;
潘震 ;
刘雅琴 .
中国专利 :CN121035061A ,2025-11-28
[10]
一种半导体器件及其制作方法 [P]. 
陈运生 ;
张雷 .
中国专利 :CN111640719B ,2020-09-08
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