半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411632412.7

申请日：

2024-11-14

公开(公告)号：

CN119560481A

公开(公告)日：

2025-03-04

发明(设计)人：

李培权薛广杰刘志文

申请人：

武汉新芯集成电路股份有限公司

申请人地址：

430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

IPC主分类号：

H01L23/528

IPC分类号：

H01L21/768

代理机构：

深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280

代理人：

黎坚怡

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-04	公开	公开
2025-03-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/528申请日:20241114

共 50 条

[1]

半导体器件及其制作方法 [P].

林江山 ;

叶蕾 ;

刘俊 ;

黄永彬 .

中国专利 :CN118571839A ,2024-08-30

[2]

半导体器件及其制作方法 [P].

尹海洲 ;

朱慧珑 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN102214576A ,2011-10-12

[3]

半导体器件及其制作方法 [P].

尹海洲 ;

骆志炯 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102237311B ,2011-11-09

[4]

半导体器件及其制作方法 [P].

刘煊杰 ;

陈晓军 .

中国专利 :CN103000571B ,2013-03-27

[5]

半导体器件及其制作方法 [P].

罗鹏程 ;

李广宁 .

中国专利 :CN105448987B ,2016-03-30

[6]

半导体器件及其制作方法 [P].

薛琬晴 ;

靳耀乐 ;

严翔 ;

闫晓晖 ;

丁丽真 ;

沈文杰 .

中国专利 :CN118571842A ,2024-08-30

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

韩秋华 ;

林益世 .

中国专利 :CN103839879A ,2014-06-04

[8]

半导体器件制作方法 [P].

张文亮 ;

朱阳军 ;

田晓丽 ;

卢烁今 .

中国专利 :CN104681431A ,2015-06-03

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

高理想 ;

孙茂 ;

张宏光 .

中国专利 :CN118098977A ,2024-05-28

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

陶永洪 ;

陈辉 ;

任远程 .

中国专利 :CN120711786A ,2025-09-26

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