半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410244502.2

申请日：

2024-03-04

公开(公告)号：

CN118098977A

公开(公告)日：

2024-05-28

发明(设计)人：

高理想孙茂张宏光

申请人：

杭州积海半导体有限公司

申请人地址：

311225 浙江省杭州市钱塘新区义蓬街道江东大道3899号709-7号

IPC主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L21/311 H01L29/78

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

曹廷廷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20240304
2024-05-28	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制作方法 [P].

李培权 ;

薛广杰 ;

刘志文 .

中国专利 :CN119560481A ,2025-03-04

[2]

半导体器件及其制作方法 [P].

刘煊杰 ;

陈晓军 .

中国专利 :CN103000571B ,2013-03-27

[3]

半导体器件及其制作方法 [P].

孙茂 ;

高理想 ;

张宏光 .

中国专利 :CN118263191B ,2024-08-23

[4]

半导体器件及其制作方法 [P].

曹文康 ;

范思苓 .

中国专利 :CN119894009A ,2025-04-25

[5]

半导体器件及其制作方法 [P].

陶永洪 ;

陈辉 ;

任远程 .

中国专利 :CN120711786A ,2025-09-26

[6]

半导体器件及其制作方法 [P].

罗鹏程 ;

李广宁 .

中国专利 :CN105448987B ,2016-03-30

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

范思苓 ;

曹文康 .

中国专利 :CN119894008A ,2025-04-25

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

薛琬晴 ;

靳耀乐 ;

严翔 ;

闫晓晖 ;

丁丽真 ;

沈文杰 .

中国专利 :CN118571842A ,2024-08-30

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

林智伟 ;

郭廷晃 ;

郑志成 .

中国专利 :CN114927412A ,2022-08-19

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

韩秋华 ;

林益世 .

中国专利 :CN103839879A ,2014-06-04

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