半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510749816.2

申请日：

2025-06-05

公开(公告)号：

CN120711786A

公开(公告)日：

2025-09-26

发明(设计)人：

陶永洪陈辉任远程

申请人：

芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司

申请人地址：

310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-608

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D62/00 H01L23/31 H01L21/56

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-26	公开	公开
2025-10-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/10申请日:20250605

共 50 条

[1]

半导体器件及其制作方法 [P].

刘煊杰 ;

陈晓军 .

中国专利 :CN103000571B ,2013-03-27

[2]

半导体器件及其制作方法 [P].

李培权 ;

薛广杰 ;

刘志文 .

中国专利 :CN119560481A ,2025-03-04

[3]

半导体器件及其制作方法 [P].

罗鹏程 ;

李广宁 .

中国专利 :CN105448987B ,2016-03-30

[4]

半导体器件及其制作方法 [P].

薛琬晴 ;

靳耀乐 ;

严翔 ;

闫晓晖 ;

丁丽真 ;

沈文杰 .

中国专利 :CN118571842A ,2024-08-30

[5]

半导体器件及其制作方法 [P].

韩秋华 ;

林益世 .

中国专利 :CN103839879A ,2014-06-04

[6]

半导体器件及其制作方法 [P].

尹海洲 ;

骆志炯 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102237311B ,2011-11-09

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

林江山 ;

叶蕾 ;

刘俊 ;

黄永彬 .

中国专利 :CN118571839A ,2024-08-30

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

尹海洲 ;

朱慧珑 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN102214576A ,2011-10-12

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

孙茂 ;

高理想 ;

张宏光 .

中国专利 :CN118263191B ,2024-08-23

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

马欢 ;

房玉川 ;

吴志浩 .

中国专利 :CN117712143A ,2024-03-15

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