一种具有双缓冲层的极紫外GaN基LED外延结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202121398399.5

申请日：

2021-06-23

公开(公告)号：

CN215342637U

公开(公告)日：

2021-12-28

发明(设计)人：

南琦刘银

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市高新区竹园路209号4号楼2301-12

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

F16F15023 F16F1504 F16F1508

代理机构：

北京化育知识产权代理有限公司 11833

代理人：

闫露露

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-28	授权	授权

共 50 条

[41]

一种具有电子注入层的深紫外发光二极管外延结构 [P].

寇建权 .

中国专利 :CN213958983U ,2021-08-13

[42]

一种同侧结构的深紫外LED外延结构 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

赵韦人 ;

王成民 .

中国专利 :CN208077977U ,2018-11-09

[43]

一种GaN基HEMT外延片 [P].

姚力军 ;

费磊 ;

郭付成 ;

边逸军 ;

左万胜 .

中国专利 :CN223515236U ,2025-11-04

[44]

采用复合电子阻挡层的深紫外LED外延结构 [P].

吴真龙 ;

田宇 ;

郑建钦 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN206148464U ,2017-05-03

[45]

具有应力补偿效应垒层的LED外延结构 [P].

田宇 ;

郑建钦 ;

吴真龙 ;

曾颀尧 ;

董发 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN204966526U ,2016-01-13

[46]

具有非对称垒层的蓝光LED外延结构 [P].

田宇 ;

郑建钦 ;

曾颀尧 ;

赖志豪 ;

郭廷瑞 ;

黄绣云 ;

黄信智 ;

张志刚 ;

吴东海 ;

童敬文 ;

林政志 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN203445142U ,2014-02-19

[47]

具有发光层多量子阱过渡层的LED外延结构 [P].

梁庆荣 ;

林政志 ;

曾颀尧 ;

韦春余 .

中国专利 :CN204741026U ,2015-11-04

[48]

一种氮化物紫外LED的外延结构 [P].

丛银梦 .

中国专利 :CN211182234U ,2020-08-04

[49]

一种实现短波长紫外LED的外延结构 [P].

何苗 ;

黄波 ;

熊德平 ;

杨思攀 ;

王润 .

中国专利 :CN206742273U ,2017-12-12

[50]

一种具有绳索缓冲结构的双滑轮 [P].

于建军 .

中国专利 :CN220845269U ,2024-04-26

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