采用复合电子阻挡层的深紫外LED外延结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620828858.1

申请日：

2016-08-03

公开(公告)号：

CN206148464U

公开(公告)日：

2017-05-03

发明(设计)人：

吴真龙田宇郑建钦李鹏飞

申请人：

申请人地址：

226015 江苏省南通市经济技术开发区东方大道499号

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

H01L3306

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/14 申请日:20160803 授权公告日:20170503 终止日期:20190803
2017-05-03	授权	授权

共 50 条

[1]

一种采用复合电子阻挡层的深紫外LED外延结构 [P].

吴真龙 ;

田宇 ;

郑建钦 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN107689406A ,2018-02-13

[2]

具有N型电子阻挡层的LED外延结构和LED器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN211700321U ,2020-10-16

[3]

LED电子阻挡层、LED外延片及半导体器件 [P].

韩娜 ;

王国斌 .

中国专利 :CN217544638U ,2022-10-04

[4]

具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED及制备方法 [P].

张骏 ;

陈云 ;

张毅 ;

岳金顺 .

中国专利 :CN114203872B ,2025-07-15

[5]

具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED及制备方法 [P].

张骏 ;

陈云 ;

张毅 ;

岳金顺 .

中国专利 :CN114203872A ,2022-03-18

[6]

一种具有非对称能带电子阻挡层的深紫外LED [P].

蔡端俊 ;

黄生荣 .

中国专利 :CN212542465U ,2021-02-12

[7]

用于深紫外LED的外延片及其制备方法、深紫外LED [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115377263B ,2022-11-22

[8]

具有N型电子阻挡层的LED外延结构、制备方法和器件 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN111430520B ,2024-08-06

[9]

用于深紫外LED的外延结构及其制备方法、LED [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

曾家明 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN115207176B ,2022-12-30

[10]

一种脉冲掺杂电子阻挡层的深紫外LED及其制备方法 [P].

张骏 ;

岳金顺 ;

梁仁瓅 .

中国专利 :CN112242463B ,2021-01-19

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