一种具有非对称能带电子阻挡层的深紫外LED

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202021907743.4

申请日：

2020-09-03

公开(公告)号：

CN212542465U

公开(公告)日：

2021-02-12

发明(设计)人：

蔡端俊黄生荣

申请人：

申请人地址：

361000 福建省厦门市火炬高新区创业园创业大厦北618A室

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

H01L3304

代理机构：

厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234

代理人：

杨泽奇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-12	授权	授权

共 50 条

[1]

采用复合电子阻挡层的深紫外LED外延结构 [P].

吴真龙 ;

田宇 ;

郑建钦 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN206148464U ,2017-05-03

[2]

具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED及制备方法 [P].

张骏 ;

陈云 ;

张毅 ;

岳金顺 .

中国专利 :CN114203872B ,2025-07-15

[3]

一种采用复合电子阻挡层的深紫外LED外延结构 [P].

吴真龙 ;

田宇 ;

郑建钦 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN107689406A ,2018-02-13

[4]

具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED及制备方法 [P].

张骏 ;

陈云 ;

张毅 ;

岳金顺 .

中国专利 :CN114203872A ,2022-03-18

[5]

一种具有阶梯型电子阻挡层结构的深紫外LED及制备方法 [P].

张骏 ;

岳金顺 ;

梁仁瓅 .

中国专利 :CN112382710A ,2021-02-19

[6]

一种脉冲掺杂电子阻挡层的深紫外LED及其制备方法 [P].

张骏 ;

岳金顺 ;

梁仁瓅 .

中国专利 :CN112242463B ,2021-01-19

[7]

一种具有双电子阻挡层的深紫外发光器件及其制备方法 [P].

郭泽昊 ;

胡新星 ;

赵海明 ;

仇成功 ;

左万胜 ;

袁松 ;

钮应喜 .

中国专利 :CN114361308A ,2022-04-15

[8]

一种具有复合电子阻挡层的近紫外LED的制备方法 [P].

贾传宇 ;

殷淑仪 ;

张国义 .

中国专利 :CN106784188B ,2017-05-31

[9]

一种具有新型电子阻挡层的近紫外LED及其制备方法 [P].

贾传宇 ;

殷淑仪 ;

张国义 .

中国专利 :CN105932130A ,2016-09-07

[10]

一种采用新型电子阻挡层的紫外发光器件 [P].

贺龙飞 ;

赵维 ;

张康 ;

何晨光 ;

吴华龙 ;

刘云洲 ;

王巧 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN211350680U ,2020-08-25

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