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一种具有阶梯型电子阻挡层结构的深紫外LED及制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011191645.X
申请日：
2020-10-30
公开(公告)号：
CN112382710A
公开(公告)日：
2021-02-19
发明(设计)人：
张骏 岳金顺 梁仁瓅
申请人：
申请人地址：
215000 江苏省苏州市吴江区黎里镇城司路158号
IPC主分类号：
H01L3314
IPC分类号：
H01L3300
代理机构：
武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231
代理人：
丁倩
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-02-19 公开 公开
2021-03-09 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/14 申请日:20201030
共 50 条
[1]
具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED及制备方法 [P]. 
张骏 ;
陈云 ;
张毅 ;
岳金顺 .
中国专利 :CN114203872B ,2025-07-15
[2]
具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED及制备方法 [P]. 
张骏 ;
陈云 ;
张毅 ;
岳金顺 .
中国专利 :CN114203872A ,2022-03-18
[3]
一种脉冲掺杂电子阻挡层的深紫外LED及其制备方法 [P]. 
张骏 ;
岳金顺 ;
梁仁瓅 .
中国专利 :CN112242463B ,2021-01-19
[4]
采用复合电子阻挡层的深紫外LED外延结构 [P]. 
吴真龙 ;
田宇 ;
郑建钦 ;
李鹏飞 .
中国专利 :CN206148464U ,2017-05-03
[5]
一种具有组分渐变量子阱结构的深紫外LED及制备方法 [P]. 
张骏 ;
岳金顺 ;
梁仁瓅 .
中国专利 :CN112382708A ,2021-02-19
[6]
一种具有多量子阱发光层结构的深紫外LED及其制备方法 [P]. 
岳金顺 ;
陈景文 ;
陈云 ;
张骏 ;
张毅 .
中国专利 :CN115566117A ,2023-01-03
[7]
一种具有双电子阻挡层的深紫外发光器件及其制备方法 [P]. 
郭泽昊 ;
胡新星 ;
赵海明 ;
仇成功 ;
左万胜 ;
袁松 ;
钮应喜 .
中国专利 :CN114361308A ,2022-04-15
[8]
一种采用复合电子阻挡层的深紫外LED外延结构 [P]. 
吴真龙 ;
田宇 ;
郑建钦 ;
李鹏飞 .
中国专利 :CN107689406A ,2018-02-13
[9]
具有渐变透明电极接触层的深紫外LED及其制备方法 [P]. 
张骏 ;
张毅 ;
岳金顺 ;
陈景文 .
中国专利 :CN115377269A ,2022-11-22
[10]
具有渐变透明电极接触层的深紫外LED及其制备方法 [P]. 
张骏 ;
张毅 ;
岳金顺 ;
陈景文 ;
陈长清 .
中国专利 :CN115377269B ,2025-05-30
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