一种具有多量子阱发光层结构的深紫外LED及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202211148513.8

申请日：

2022-09-21

公开(公告)号：

CN115566117A

公开(公告)日：

2023-01-03

发明(设计)人：

岳金顺陈景文陈云张骏张毅

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市吴江区黎里镇城司路158号

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3314 H01L3300

代理机构：

武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231

代理人：

张杰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/06 申请日:20220921
2023-01-03	公开	公开

共 50 条

[1]

一种具有单量子阱结构的深紫外LED及其制备方法 [P].

张毅 ;

张骏 ;

岳金顺 .

中国专利 :CN115036401A ,2022-09-09

[2]

一种具有单量子阱结构的深紫外LED及其制备方法 [P].

张骏 ;

张毅 ;

岳金顺 ;

陈长清 .

中国专利 :CN115036401B ,2025-10-24

[3]

一种具有组分渐变量子阱结构的深紫外LED及制备方法 [P].

张骏 ;

岳金顺 ;

梁仁瓅 .

中国专利 :CN112382708A ,2021-02-19

[4]

具有渐变透明电极接触层的深紫外LED及其制备方法 [P].

张骏 ;

张毅 ;

岳金顺 ;

陈景文 .

中国专利 :CN115377269A ,2022-11-22

[5]

具有渐变透明电极接触层的深紫外LED及其制备方法 [P].

张骏 ;

张毅 ;

岳金顺 ;

陈景文 ;

陈长清 .

中国专利 :CN115377269B ,2025-05-30

[6]

一种AlGaN/h-BN多量子阱结构的深紫外LED及其制备方法 [P].

汪连山 ;

李方政 ;

赵桂娟 ;

孟钰琳 ;

杨少延 ;

魏鸿源 ;

王占国 .

中国专利 :CN112490335B ,2021-03-12

[7]

一种具有注入效率改善层结构的深紫外LED及其制备方法 [P].

张骏 ;

张毅 ;

岳金顺 ;

陈景文 .

中国专利 :CN115498084A ,2022-12-20

[8]

一种具有注入效率改善层结构的深紫外LED及其制备方法 [P].

张骏 ;

张毅 ;

岳金顺 ;

陈景文 .

中国专利 :CN115498084B ,2025-09-02

[9]

深紫外LED的外延结构及其制备方法 [P].

陈谦 ;

高扬 ;

张爽 ;

郑志华 ;

陈长清 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN109461799A ,2019-03-12

[10]

一种具有阶梯型电子阻挡层结构的深紫外LED及制备方法 [P].

张骏 ;

岳金顺 ;

梁仁瓅 .

中国专利 :CN112382710A ,2021-02-19

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