一种具有双电子阻挡层的深紫外发光器件及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202111683645.6

申请日：

2021-12-28

公开(公告)号：

CN114361308A

公开(公告)日：

2022-04-15

发明(设计)人：

郭泽昊胡新星赵海明仇成功左万胜袁松钮应喜

申请人：

申请人地址：

241000 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107

代理人：

孟迪

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-12	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 33/14 变更事项:申请人变更前:芜湖启迪半导体有限公司变更后:安徽长飞先进半导体有限公司变更事项:地址变更前:241000 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803 变更后:241000 安徽省芜湖市高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803
2022-04-15	公开	公开
2022-05-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/14 申请日:20211228

共 50 条

[1]

一种采用新型电子阻挡层的紫外发光器件 [P].

贺龙飞 ;

赵维 ;

张康 ;

何晨光 ;

吴华龙 ;

刘云洲 ;

王巧 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN211350680U ,2020-08-25

[2]

一种采用复合电子阻挡层的紫外发光器件及其制备方法 [P].

贺龙飞 ;

赵维 ;

张康 ;

何晨光 ;

吴华龙 ;

刘云洲 ;

王巧 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN110993759B ,2024-05-17

[3]

一种采用复合电子阻挡层的紫外发光器件及其制备方法 [P].

贺龙飞 ;

赵维 ;

张康 ;

何晨光 ;

吴华龙 ;

刘云洲 ;

王巧 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN110993759A ,2020-04-10

[4]

一种具有复合电子阻挡层的发光二极管 [P].

张佳胜 ;

蔡吉明 ;

林兓兓 ;

张家宏 .

中国专利 :CN207021278U ,2018-02-16

[5]

基于h-BN电子阻挡层的高效深紫外发光二极管及制备方法 [P].

周小伟 ;

王燕丽 ;

吴金星 ;

李培咸 ;

许晟瑞 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN109378373B ,2019-02-22

[6]

具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED及制备方法 [P].

张骏 ;

陈云 ;

张毅 ;

岳金顺 .

中国专利 :CN114203872B ,2025-07-15

[7]

具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED及制备方法 [P].

张骏 ;

陈云 ;

张毅 ;

岳金顺 .

中国专利 :CN114203872A ,2022-03-18

[8]

一种具有阶梯型电子阻挡层结构的深紫外LED及制备方法 [P].

张骏 ;

岳金顺 ;

梁仁瓅 .

中国专利 :CN112382710A ,2021-02-19

[9]

一种脉冲掺杂电子阻挡层的深紫外LED及其制备方法 [P].

张骏 ;

岳金顺 ;

梁仁瓅 .

中国专利 :CN112242463B ,2021-01-19

[10]

一种具有新型复合电子阻挡层的发光二极管及其制备方法 [P].

郑金凤 ;

张雷城 ;

展望 ;

芦玲 .

中国专利 :CN114613891A ,2022-06-10

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