一种具有新型复合电子阻挡层的发光二极管及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210294419.7

申请日：

2022-03-24

公开(公告)号：

CN114613891A

公开(公告)日：

2022-06-10

发明(设计)人：

郑金凤张雷城展望芦玲

申请人：

申请人地址：

223001 江苏省淮安市清河新区景秀路6号

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

H01L3304 H01L3306 H01L3312 H01L3332 H01L3300

代理机构：

淮安市科文知识产权事务所 32223

代理人：

谢观素

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-10	公开	公开
2022-06-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/14 申请日:20220324

共 50 条

[1]

一种具有复合电子阻挡层的发光二极管 [P].

张佳胜 ;

蔡吉明 ;

林兓兓 ;

张家宏 .

中国专利 :CN207021278U ,2018-02-16

[2]

一种具有复合电子阻挡层的发光二极管及其制备方法 [P].

董金矿 ;

汪玉 ;

黄文宾 ;

周宏敏 ;

李政鸿 ;

林兓兓 ;

张家豪 .

中国专利 :CN111640829A ,2020-09-08

[3]

一种具有复合极性面电子阻挡层的发光二极管 [P].

张雄 ;

王南 ;

崔一平 .

中国专利 :CN105870283B ,2016-08-17

[4]

具有复合电流阻挡层的发光二极管及其制备方法 [P].

张中玉 ;

黄照明 ;

杨凯 ;

赵方方 ;

蔡家豪 ;

张家豪 .

中国专利 :CN112447891A ,2021-03-05

[5]

一种具有新型的P型电子阻挡层结构的发光二极管及生长方法 [P].

王智勇 ;

张杨 ;

杨翠柏 ;

杨光辉 .

中国专利 :CN104300061A ,2015-01-21

[6]

基于h-BN电子阻挡层的高效深紫外发光二极管及制备方法 [P].

周小伟 ;

王燕丽 ;

吴金星 ;

李培咸 ;

许晟瑞 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN109378373B ,2019-02-22

[7]

一种具有共振隧穿结构电子阻挡层的发光二极管 [P].

张雄 ;

杨刚 ;

代倩 ;

崔一平 .

中国专利 :CN107195746B ,2017-09-22

[8]

一种具有电子阻挡层结构的发光二极管 [P].

张雄 ;

朱敏 ;

崔一平 .

中国专利 :CN103367581A ,2013-10-23

[9]

具有稳固电流阻挡层的发光二极管及其制备方法 [P].

朱知音 ;

王绘凝 ;

冯岩 ;

凡世明 ;

马静超 .

中国专利 :CN117913193A ,2024-04-19

[10]

具有复合P型层的发光二极管及其制备方法 [P].

李翠玲 ;

蒋媛媛 ;

从颖 ;

梅劲 .

中国专利 :CN116014045B ,2025-10-10

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