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一种具有复合电子阻挡层的发光二极管及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010446626.0
申请日
:
2020-05-25
公开(公告)号
:
CN111640829A
公开(公告)日
:
2020-09-08
发明(设计)人
:
董金矿
汪玉
黄文宾
周宏敏
李政鸿
林兓兓
张家豪
申请人
:
申请人地址
:
241000 安徽省芜湖市经济技术开发区东梁山路8号
IPC主分类号
:
H01L3314
IPC分类号
:
H01L3306
H01L3332
H01L3300
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-10-02
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/14 申请日:20200525
2020-09-08
公开
公开
共 50 条
[1]
具有复合电流阻挡层的发光二极管及其制备方法
[P].
张中玉
论文数:
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张中玉
;
黄照明
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黄照明
;
杨凯
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杨凯
;
赵方方
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赵方方
;
蔡家豪
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蔡家豪
;
张家豪
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张家豪
.
中国专利
:CN112447891A
,2021-03-05
[2]
一种具有新型复合电子阻挡层的发光二极管及其制备方法
[P].
郑金凤
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郑金凤
;
张雷城
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张雷城
;
展望
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展望
;
芦玲
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芦玲
.
中国专利
:CN114613891A
,2022-06-10
[3]
一种具有复合电子阻挡层的发光二极管
[P].
张佳胜
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张佳胜
;
蔡吉明
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蔡吉明
;
林兓兓
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林兓兓
;
张家宏
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张家宏
.
中国专利
:CN207021278U
,2018-02-16
[4]
具有电流阻挡层的发光二极管及其制造方法
[P].
彭青
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彭青
;
刘小星
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刘小星
;
郝亚磊
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郝亚磊
;
高艳龙
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高艳龙
;
尹灵峰
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尹灵峰
;
梅劲
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梅劲
;
王江波
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王江波
.
中国专利
:CN115394885A
,2022-11-25
[5]
具有双电子阻挡层的发光二极管芯片及其制备方法
[P].
陈星宇
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机构:
京东方华灿光电(苏州)有限公司
京东方华灿光电(苏州)有限公司
陈星宇
;
王洪占
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机构:
京东方华灿光电(苏州)有限公司
京东方华灿光电(苏州)有限公司
王洪占
;
许晏铭
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机构:
京东方华灿光电(苏州)有限公司
京东方华灿光电(苏州)有限公司
许晏铭
;
蒋坚
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机构:
京东方华灿光电(苏州)有限公司
京东方华灿光电(苏州)有限公司
蒋坚
;
杨箫
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机构:
京东方华灿光电(苏州)有限公司
京东方华灿光电(苏州)有限公司
杨箫
;
沈研飞
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机构:
京东方华灿光电(苏州)有限公司
京东方华灿光电(苏州)有限公司
沈研飞
.
中国专利
:CN119008798A
,2024-11-22
[6]
具有电流阻挡层的发光二极管及其制作方法
[P].
黄少华
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黄少华
;
吴志强
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吴志强
.
中国专利
:CN102522472A
,2012-06-27
[7]
具有稳固电流阻挡层的发光二极管及其制备方法
[P].
朱知音
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机构:
华灿光电(浙江)有限公司
华灿光电(浙江)有限公司
朱知音
;
王绘凝
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机构:
华灿光电(浙江)有限公司
华灿光电(浙江)有限公司
王绘凝
;
冯岩
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机构:
华灿光电(浙江)有限公司
华灿光电(浙江)有限公司
冯岩
;
凡世明
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机构:
华灿光电(浙江)有限公司
华灿光电(浙江)有限公司
凡世明
;
马静超
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机构:
华灿光电(浙江)有限公司
华灿光电(浙江)有限公司
马静超
.
中国专利
:CN117913193A
,2024-04-19
[8]
包括阻挡层/子层的发光二极管及其制造方法
[P].
D·B·小斯拉特
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D·B·小斯拉特
;
B·E·威廉斯
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B·E·威廉斯
;
P·S·安德鲁斯
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P·S·安德鲁斯
;
J·A·埃德蒙德
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J·A·埃德蒙德
;
S·T·艾伦
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S·T·艾伦
;
J·比哈拉塔恩
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J·比哈拉塔恩
.
中国专利
:CN1672268A
,2005-09-21
[9]
具有光阻挡层的发光二极管
[P].
张锺敏
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张锺敏
;
金彰渊
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金彰渊
;
林栽熙
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林栽熙
.
中国专利
:CN108110117B
,2018-06-01
[10]
一种具有电流阻挡层的发光二极管及其制备方法
[P].
彭璐
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彭璐
;
黄博
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黄博
;
刘存志
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刘存志
;
王成新
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王成新
.
中国专利
:CN103066175B
,2013-04-24
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