具有双电子阻挡层的发光二极管芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411142141.7

申请日：

2024-08-20

公开(公告)号：

CN119008798A

公开(公告)日：

2024-11-22

发明(设计)人：

陈星宇王洪占许晏铭蒋坚杨箫沈研飞

申请人：

京东方华灿光电（苏州）有限公司

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号

IPC主分类号：

H01L33/14

IPC分类号：

H01L33/00

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

吕耀萍

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-22	公开	公开
2024-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/14申请日:20240820

共 50 条

[1]

具有透射阻挡层的发光二极管芯片及其制备方法 [P].

孙良风 ;

吴娇 ;

吴志浩 ;

张威 ;

栗伟 .

中国专利 :CN120659443A ,2025-09-16

[2]

具有复合电流阻挡层的发光二极管芯片及其制备方法 [P].

崔伟豪 ;

刘小亮 ;

王薇 ;

林振华 ;

田艳红 ;

尹灵峰 .

中国专利 :CN119208479A ,2024-12-27

[3]

具有电流阻挡层的发光二极管芯片及其制备方法 [P].

孙虎 ;

李俊生 ;

胡根水 .

中国专利 :CN113690352A ,2021-11-23

[4]

发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法 [P].

刘珊珊 ;

纪思美 ;

陈顺利 ;

李士涛 .

中国专利 :CN112510133A ,2021-03-16

[5]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

杨亮 ;

过靖 ;

刘传桂 ;

夏章艮 .

中国专利 :CN119029110A ,2024-11-26

[6]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

王顺 ;

楼高铭 ;

周宇 ;

罗欢 ;

张梦竹 ;

卫婷 .

中国专利 :CN118367077A ,2024-07-19

[7]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

吴俊磊 ;

秦双娇 ;

刘建森 ;

应丹青 ;

汪杨 ;

夏章艮 ;

高艳龙 .

中国专利 :CN118412416A ,2024-07-30

[8]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

兰叶 ;

吴志浩 ;

李鹏 .

中国专利 :CN112054104A ,2020-12-08

[9]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

吴俊磊 ;

秦双娇 ;

刘建森 ;

应丹青 ;

汪杨 ;

夏章艮 ;

高艳龙 .

中国专利 :CN118412416B ,2024-10-11

[10]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

吴俊磊 ;

秦双娇 ;

刘建森 ;

陈沛然 ;

傅新钧 ;

杜雯丹 ;

应丹青 .

中国专利 :CN118099322A ,2024-05-28

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