具有透射阻挡层的发光二极管芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510677871.5

申请日：

2025-05-26

公开(公告)号：

CN120659443A

公开(公告)日：

2025-09-16

发明(设计)人：

孙良风吴娇吴志浩张威栗伟

申请人：

京东方华灿光电（广东）有限公司

申请人地址：

519090 广东省珠海市金湾区三灶镇鹤湖路987号

IPC主分类号：

H10H20/84

IPC分类号：

H10H20/841 H10H20/856 H10H20/855 H10H20/01

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

徐立

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/84申请日:20250526
2025-09-16	公开	公开

共 50 条

[1]

具有双电子阻挡层的发光二极管芯片及其制备方法 [P].

陈星宇 ;

王洪占 ;

许晏铭 ;

蒋坚 ;

杨箫 ;

沈研飞 .

中国专利 :CN119008798A ,2024-11-22

[2]

具有复合电流阻挡层的发光二极管芯片及其制备方法 [P].

崔伟豪 ;

刘小亮 ;

王薇 ;

林振华 ;

田艳红 ;

尹灵峰 .

中国专利 :CN119208479A ,2024-12-27

[3]

具有电流阻挡层的发光二极管芯片及其制备方法 [P].

孙虎 ;

李俊生 ;

胡根水 .

中国专利 :CN113690352A ,2021-11-23

[4]

发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片 [P].

游云梦 ;

王佳 ;

芮哲 ;

田宇航 ;

马国强 ;

夏群 ;

刘战祥 .

中国专利 :CN118588817A ,2024-09-03

[5]

电流阻挡层及发光二极管芯片的制作方法 [P].

兰叶 ;

顾小云 ;

徐瑾 ;

吴志浩 ;

杨春艳 ;

王江波 .

中国专利 :CN107195745A ,2017-09-22

[6]

发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法 [P].

刘珊珊 ;

纪思美 ;

陈顺利 ;

李士涛 .

中国专利 :CN112510133A ,2021-03-16

[7]

一种改进的具有电流阻挡层的发光二极管芯片 [P].

樊邦扬 ;

叶国光 ;

梁伏波 ;

杨小东 ;

曹东兴 .

中国专利 :CN202025790U ,2011-11-02

[8]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

杨亮 ;

过靖 ;

刘传桂 ;

夏章艮 .

中国专利 :CN119029110A ,2024-11-26

[9]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

郭炳磊 ;

王群 ;

葛永晖 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109888074A ,2019-06-14

[10]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

王顺 ;

楼高铭 ;

周宇 ;

罗欢 ;

张梦竹 ;

卫婷 .

中国专利 :CN118367077A ,2024-07-19

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