发光二极管芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410282354.3

申请日：

2024-03-13

公开(公告)号：

CN118367077A

公开(公告)日：

2024-07-19

发明(设计)人：

王顺楼高铭周宇罗欢张梦竹卫婷

申请人：

京东方华灿光电（浙江）有限公司

申请人地址：

322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号

IPC主分类号：

H01L33/38

IPC分类号：

H01L33/62 H01L33/00

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

徐立

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省金华市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-06	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/38申请日:20240313
2024-07-19	公开	公开

共 50 条

[1]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

杨亮 ;

过靖 ;

刘传桂 ;

夏章艮 .

中国专利 :CN119029110A ,2024-11-26

[2]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

吴俊磊 ;

秦双娇 ;

刘建森 ;

应丹青 ;

汪杨 ;

夏章艮 ;

高艳龙 .

中国专利 :CN118412416A ,2024-07-30

[3]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

吴俊磊 ;

秦双娇 ;

刘建森 ;

应丹青 ;

汪杨 ;

夏章艮 ;

高艳龙 .

中国专利 :CN118412416B ,2024-10-11

[4]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

吴俊磊 ;

秦双娇 ;

刘建森 ;

陈沛然 ;

傅新钧 ;

杜雯丹 ;

应丹青 .

中国专利 :CN118099322A ,2024-05-28

[5]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

郝亚磊 ;

韩艺蕃 ;

张旭东 ;

王绘凝 ;

王江波 .

中国专利 :CN118299480A ,2024-07-05

[6]

发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法 [P].

刘珊珊 ;

纪思美 ;

陈顺利 ;

李士涛 .

中国专利 :CN112510133A ,2021-03-16

[7]

高压发光二极管芯片及其制备方法 [P].

楼高铭 ;

王顺 ;

卫婷 ;

周宇 ;

罗欢 ;

张梦竹 .

中国专利 :CN118486772A ,2024-08-13

[8]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

王群 ;

郭磊磊 ;

葛永晖 ;

董彬忠 ;

李鹏 ;

王江波 .

中国专利 :CN111883624A ,2020-11-03

[9]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

兰叶 ;

吴志浩 ;

李鹏 .

中国专利 :CN112054104A ,2020-12-08

[10]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

郭炳磊 ;

王群 ;

葛永晖 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109888074A ,2019-06-14

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