发光二极管芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410914408.3

申请日：

2024-07-09

公开(公告)号：

CN119029110A

公开(公告)日：

2024-11-26

发明(设计)人：

杨亮过靖刘传桂夏章艮

申请人：

京东方华灿光电（浙江）有限公司

申请人地址：

322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号

IPC主分类号：

H01L33/36

IPC分类号：

H01L33/48 H01L33/44 H01L33/00

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

吕耀萍

法律状态：

公开

国省代码：

浙江省金华市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-26	公开	公开
2024-12-13	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/36申请日:20240709

共 50 条

[1]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

吴俊磊 ;

秦双娇 ;

刘建森 ;

应丹青 ;

汪杨 ;

夏章艮 ;

高艳龙 .

中国专利 :CN118412416A ,2024-07-30

[2]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

吴俊磊 ;

秦双娇 ;

刘建森 ;

应丹青 ;

汪杨 ;

夏章艮 ;

高艳龙 .

中国专利 :CN118412416B ,2024-10-11

[3]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

王顺 ;

楼高铭 ;

周宇 ;

罗欢 ;

张梦竹 ;

卫婷 .

中国专利 :CN118367077A ,2024-07-19

[4]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

吴俊磊 ;

秦双娇 ;

刘建森 ;

陈沛然 ;

傅新钧 ;

杜雯丹 ;

应丹青 .

中国专利 :CN118099322A ,2024-05-28

[5]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

郝亚磊 ;

韩艺蕃 ;

张旭东 ;

王绘凝 ;

王江波 .

中国专利 :CN118299480A ,2024-07-05

[6]

发光二极管芯片 [P].

吕志轩 ;

陈誉云 ;

林永鑫 ;

李芳仪 ;

潘锡明 .

中国专利 :CN107871804B ,2018-04-03

[7]

发光二极管芯片 [P].

吕志轩 ;

陈誉云 ;

林永鑫 ;

李芳仪 ;

潘锡明 .

中国专利 :CN104868028B ,2015-08-26

[8]

发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法 [P].

刘珊珊 ;

纪思美 ;

陈顺利 ;

李士涛 .

中国专利 :CN112510133A ,2021-03-16

[9]

高亮发光二极管芯片及其制备方法 [P].

刘小星 ;

尹灵峰 ;

张威 ;

魏柏林 ;

卫婷 ;

马国强 .

中国专利 :CN114824008B ,2025-05-30

[10]

高压发光二极管芯片及其制备方法 [P].

楼高铭 ;

王顺 ;

卫婷 ;

周宇 ;

罗欢 ;

张梦竹 .

中国专利 :CN118486772A ,2024-08-13

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