发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910871335.3

申请日：

2019-09-16

公开(公告)号：

CN112510133A

公开(公告)日：

2021-03-16

发明(设计)人：

刘珊珊纪思美陈顺利李士涛

申请人：

申请人地址：

116051 辽宁省大连市经济开发区淮河东路157号

IPC主分类号：

H01L3344

IPC分类号：

H01L3346 H01L3300

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

傅康

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-16	公开	公开
2021-04-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/44 申请日:20190916

共 50 条

[1]

发光二极管及发光二极管芯片 [P].

余泰成 .

中国专利 :CN1855557A ,2006-11-01

[2]

发光二极管芯片 [P].

吕志轩 ;

陈誉云 ;

林永鑫 ;

李芳仪 ;

潘锡明 .

中国专利 :CN107871804B ,2018-04-03

[3]

发光二极管芯片 [P].

吕志轩 ;

陈誉云 ;

林永鑫 ;

李芳仪 ;

潘锡明 .

中国专利 :CN104868028B ,2015-08-26

[4]

发光二极管芯片及发光二极管 [P].

刘珊珊 ;

纪思美 ;

陈顺利 ;

李士涛 .

中国专利 :CN210325841U ,2020-04-14

[5]

发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制作方法 [P].

王思博 ;

胡欢欢 ;

简弘安 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 ;

丁逸圣 .

中国专利 :CN109728143A ,2019-05-07

[6]

发光二极管芯片、发光二极管 [P].

尹灵峰 ;

吴志浩 ;

高艳龙 ;

魏柏林 ;

王江波 .

中国专利 :CN209766464U ,2019-12-10

[7]

发光二极管芯片 [P].

K.恩格尔 ;

M.毛特 ;

S.拉梅尔斯贝格尔 .

中国专利 :CN103069590A ,2013-04-24

[8]

发光二极管芯片 [P].

吴世熙 ;

金在权 ;

金钟奎 ;

金贤儿 ;

李俊燮 .

中国专利 :CN110168755A ,2019-08-23

[9]

发光二极管芯片 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN217239489U ,2022-08-19

[10]

发光二极管芯片 [P].

马蒂亚斯·扎巴蒂尔 ;

卢茨·赫佩尔 ;

安德烈亚斯·魏玛 ;

卡尔·恩格尔 ;

约翰内斯·鲍尔 .

中国专利 :CN104576871B ,2015-04-29

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