发光二极管芯片

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专利类型
发明
申请号
CN201180042434.2
申请日
2011-08-24
公开(公告)号
CN103069590A
公开(公告)日
2013-04-24
发明(设计)人
K.恩格尔 M.毛特 S.拉梅尔斯贝格尔
申请人
申请人地址
德国雷根斯堡
IPC主分类号
H01L3346
IPC分类号
H01L3340
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
张涛;刘春元
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法 [P]. 
刘珊珊 ;
纪思美 ;
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中国专利 :CN112510133A ,2021-03-16
[2]
发光二极管芯片 [P]. 
吴世熙 ;
金在权 ;
金钟奎 ;
金贤儿 ;
李俊燮 .
中国专利 :CN110168755A ,2019-08-23
[3]
发光二极管芯片 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
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[4]
发光二极管芯片 [P]. 
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潘锡明 .
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[5]
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徐慧文 ;
于正国 ;
李起鸣 .
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[6]
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申利莹 ;
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王笃祥 .
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[7]
发光二极管芯片 [P]. 
吕志轩 ;
陈誉云 ;
林永鑫 ;
李芳仪 ;
潘锡明 .
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[8]
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[9]
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[10]
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