发光二极管芯片

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专利类型
发明
申请号
CN200710096910.4
申请日
2007-04-16
公开(公告)号
CN101060156A
公开(公告)日
2007-10-24
发明(设计)人
小池正妤 金范埈
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L3300
IPC分类号
代理机构
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人
章社杲;吴贵明
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法 [P]. 
刘珊珊 ;
纪思美 ;
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李士涛 .
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[2]
发光二极管芯片 [P]. 
K.恩格尔 ;
M.毛特 ;
S.拉梅尔斯贝格尔 .
中国专利 :CN103069590A ,2013-04-24
[3]
发光二极管芯片 [P]. 
吴世熙 ;
金在权 ;
金钟奎 ;
金贤儿 ;
李俊燮 .
中国专利 :CN110168755A ,2019-08-23
[4]
发光二极管芯片 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
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[5]
发光二极管芯片 [P]. 
吕志轩 ;
陈誉云 ;
林永鑫 ;
李芳仪 ;
潘锡明 .
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[6]
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徐慧文 ;
于正国 ;
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[7]
发光二极管芯片 [P]. 
申利莹 ;
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[8]
发光二极管芯片 [P]. 
吕志轩 ;
陈誉云 ;
林永鑫 ;
李芳仪 ;
潘锡明 .
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[9]
发光二极管芯片 [P]. 
马蒂亚斯·扎巴蒂尔 ;
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[10]
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