高亮发光二极管芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210313811.1

申请日：

2022-03-28

公开(公告)号：

CN114824008B

公开(公告)日：

2025-05-30

发明(设计)人：

刘小星尹灵峰张威魏柏林卫婷马国强

申请人：

京东方华灿光电（浙江）有限公司

申请人地址：

322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号

IPC主分类号：

H10H20/816

IPC分类号：

H10H20/833 H10H20/01

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

吕耀萍

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省金华市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-30	授权	授权

共 50 条

[1]

高亮发光二极管芯片及其制备方法 [P].

刘小星 ;

尹灵峰 ;

张威 ;

魏柏林 ;

卫婷 ;

马国强 .

中国专利 :CN114824008A ,2022-07-29

[2]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

杨亮 ;

过靖 ;

刘传桂 ;

夏章艮 .

中国专利 :CN119029110A ,2024-11-26

[3]

发光二极管芯片 [P].

吕志轩 ;

陈誉云 ;

林永鑫 ;

李芳仪 ;

潘锡明 .

中国专利 :CN107871804B ,2018-04-03

[4]

发光二极管芯片 [P].

吕志轩 ;

陈誉云 ;

林永鑫 ;

李芳仪 ;

潘锡明 .

中国专利 :CN104868028B ,2015-08-26

[5]

发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法 [P].

刘珊珊 ;

纪思美 ;

陈顺利 ;

李士涛 .

中国专利 :CN112510133A ,2021-03-16

[6]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

曹斌斌 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115020555B ,2024-09-24

[7]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

吴俊磊 ;

秦双娇 ;

刘建森 ;

应丹青 ;

汪杨 ;

夏章艮 ;

高艳龙 .

中国专利 :CN118412416A ,2024-07-30

[8]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

吴俊磊 ;

秦双娇 ;

刘建森 ;

应丹青 ;

汪杨 ;

夏章艮 ;

高艳龙 .

中国专利 :CN118412416B ,2024-10-11

[9]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

曹斌斌 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115020555A ,2022-09-06

[10]

高亮度发光二极管芯片 [P].

曹斌斌 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN217522029U ,2022-09-30

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