发光二极管芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410068263.X

申请日：

2024-01-17

公开(公告)号：

CN118099322A

公开(公告)日：

2024-05-28

发明(设计)人：

吴俊磊秦双娇刘建森陈沛然傅新钧杜雯丹应丹青

申请人：

华灿光电（浙江）有限公司

申请人地址：

322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号

IPC主分类号：

H01L33/46

IPC分类号：

H01L33/06 H01L33/00 H01L33/32 H01L33/12 H01L33/44

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

徐立

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省金华市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/46申请日:20240117
2024-05-28	公开	公开

共 50 条

[1]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

黄庆 ;

张美 ;

杭伟 ;

王洪占 .

中国专利 :CN117810326A ,2024-04-02

[2]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

杨亮 ;

过靖 ;

刘传桂 ;

夏章艮 .

中国专利 :CN119029110A ,2024-11-26

[3]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

王顺 ;

楼高铭 ;

周宇 ;

罗欢 ;

张梦竹 ;

卫婷 .

中国专利 :CN118367077A ,2024-07-19

[4]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

吴俊磊 ;

秦双娇 ;

刘建森 ;

应丹青 ;

汪杨 ;

夏章艮 ;

高艳龙 .

中国专利 :CN118412416A ,2024-07-30

[5]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

吴俊磊 ;

秦双娇 ;

刘建森 ;

应丹青 ;

汪杨 ;

夏章艮 ;

高艳龙 .

中国专利 :CN118412416B ,2024-10-11

[6]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

郝亚磊 ;

韩艺蕃 ;

张旭东 ;

王绘凝 ;

王江波 .

中国专利 :CN118299480A ,2024-07-05

[7]

发光二极管芯片 [P].

汪延明 ;

姚禹 ;

许亚兵 ;

牛凤娟 ;

侯召男 .

中国专利 :CN202423369U ,2012-09-05

[8]

发光二极管芯片 [P].

洪越 .

中国专利 :CN109545927A ,2019-03-29

[9]

发光二极管芯片中电流扩展的方法和发光二极管芯片 [P].

段大卫 ;

马克 ;

马赛罗 .

中国专利 :CN103456844A ,2013-12-18

[10]

发光二极管芯片及其制备方法、显示基板 [P].

黄兆斌 .

中国专利 :CN118099291A ,2024-05-28

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