发光二极管芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811461350.2

申请日：

2018-12-02

公开(公告)号：

CN109545927A

公开(公告)日：

2019-03-29

发明(设计)人：

洪越

申请人：

申请人地址：

211400 江苏省扬州市仪征市陈集镇工业集中区

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3306 H01L3332 H01L3302

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-29	公开	公开
2020-01-14	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 33/12 申请公布日:20190329

共 50 条

[1]

发光二极管芯片 [P].

汪延明 ;

姚禹 ;

许亚兵 ;

牛凤娟 ;

侯召男 .

中国专利 :CN202423369U ,2012-09-05

[2]

发光二极管芯片中电流扩展的方法和发光二极管芯片 [P].

段大卫 ;

马克 ;

马赛罗 .

中国专利 :CN103456844A ,2013-12-18

[3]

发光二极管芯片制备方法 [P].

张威 ;

王江波 .

中国专利 :CN104319323B ,2015-01-28

[4]

一种倒装高压发光二极管芯片 [P].

章进兵 ;

张存磊 ;

廖汉忠 ;

芦玲 .

中国专利 :CN218160425U ,2022-12-27

[5]

一种倒装高压发光二极管芯片 [P].

章进兵 ;

张存磊 ;

廖汉忠 ;

芦玲 .

中国专利 :CN218160426U ,2022-12-27

[6]

一种高压发光二极管芯片 [P].

赵洋 ;

宋林青 ;

廖汉忠 ;

芦玲 .

中国专利 :CN115966642B ,2024-03-12

[7]

发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制作方法 [P].

王思博 ;

胡欢欢 ;

简弘安 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 ;

丁逸圣 .

中国专利 :CN109728143A ,2019-05-07

[8]

倒装发光二极管芯片 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN209896094U ,2020-01-03

[9]

倒装发光二极管芯片 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN210429862U ,2020-04-28

[10]

发光二极管芯片 [P].

刘珊珊 ;

廖汉忠 ;

丁逸圣 ;

陈顺利 ;

李士涛 ;

宋林青 .

中国专利 :CN209709009U ,2019-11-29

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