发光二极管芯片中电流扩展的方法和发光二极管芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210169945.7

申请日：

2012-05-28

公开(公告)号：

CN103456844A

公开(公告)日：

2013-12-18

发明(设计)人：

段大卫马克马赛罗

申请人：

申请人地址：

528300 广东省佛山市南海区罗村街道朗沙村委会广东新光源产业基地核心区内B区1座之二（第五层11—20轴）

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3314

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

戴云霓

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-12-18	公开	公开
2018-05-11	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/00 申请公布日:20131218
2015-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101607127196 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2012101699457 申请日:20120528

共 50 条

[1]

发光二极管芯片 [P].

汪延明 ;

姚禹 ;

许亚兵 ;

牛凤娟 ;

侯召男 .

中国专利 :CN202423369U ,2012-09-05

[2]

发光二极管芯片 [P].

洪越 .

中国专利 :CN109545927A ,2019-03-29

[3]

发光二极管芯片 [P].

刘珊珊 ;

廖汉忠 ;

丁逸圣 ;

陈顺利 ;

李士涛 ;

宋林青 .

中国专利 :CN209709009U ,2019-11-29

[4]

发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制作方法 [P].

王思博 ;

胡欢欢 ;

简弘安 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 ;

丁逸圣 .

中国专利 :CN109728143A ,2019-05-07

[5]

发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法 [P].

刘珊珊 ;

纪思美 ;

陈顺利 ;

李士涛 .

中国专利 :CN112510133A ,2021-03-16

[6]

发光二极管芯片 [P].

彭晖 ;

马欣荣 ;

闫春辉 .

中国专利 :CN201749876U ,2011-02-16

[7]

发光二极管芯片 [P].

樊本杰 ;

杨鸿志 ;

邓顺达 .

中国专利 :CN113036007A ,2021-06-25

[8]

发光二极管芯片 [P].

李刚 ;

吴启保 ;

王胜国 .

中国专利 :CN2789935Y ,2006-06-21

[9]

发光二极管芯片制备方法 [P].

张威 ;

王江波 .

中国专利 :CN104319323B ,2015-01-28

[10]

发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片 [P].

冈村卓 ;

北村宏 .

中国专利 :CN107611086A ,2018-01-19

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