发光二极管芯片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201920386567.5

申请日：

2019-03-25

公开(公告)号：

CN209709009U

公开(公告)日：

2019-11-29

发明(设计)人：

刘珊珊廖汉忠丁逸圣陈顺利李士涛宋林青

申请人：

申请人地址：

116051 辽宁省大连市经济开发区淮河东路157号

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

H01L3336 H01L3302

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

郭玮;李双皓

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-29	授权	授权

共 50 条

[1]

发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制作方法 [P].

王思博 ;

胡欢欢 ;

简弘安 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 ;

丁逸圣 .

中国专利 :CN109728143A ,2019-05-07

[2]

发光二极管芯片结构 [P].

杜高云 ;

张淋 ;

邓群雄 ;

许雪芳 .

中国专利 :CN102867898A ,2013-01-09

[3]

发光二极管芯片结构 [P].

杜高云 ;

张淋 ;

邓群雄 ;

许雪芳 .

中国专利 :CN202871851U ,2013-04-10

[4]

发光二极管芯片 [P].

汪延明 ;

姚禹 ;

许亚兵 ;

牛凤娟 ;

侯召男 .

中国专利 :CN202423369U ,2012-09-05

[5]

发光二极管芯片 [P].

洪越 .

中国专利 :CN109545927A ,2019-03-29

[6]

发光二极管芯片及发光二极管 [P].

王思博 ;

胡欢欢 ;

简弘安 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 ;

丁逸圣 .

中国专利 :CN209515726U ,2019-10-18

[7]

发光二极管芯片中电流扩展的方法和发光二极管芯片 [P].

段大卫 ;

马克 ;

马赛罗 .

中国专利 :CN103456844A ,2013-12-18

[8]

一种发光二极管芯片 [P].

张杰 ;

彭遥 .

中国专利 :CN205231061U ,2016-05-11

[9]

倒装发光二极管芯片 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN209896094U ,2020-01-03

[10]

发光二极管芯片 [P].

胡欢欢 ;

王思博 ;

简弘安 ;

刘宇轩 .

中国专利 :CN209747544U ,2019-12-06

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