发光二极管芯片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201920604947.1

申请日：

2019-04-29

公开(公告)号：

CN209747544U

公开(公告)日：

2019-12-06

发明(设计)人：

胡欢欢王思博简弘安刘宇轩

申请人：

申请人地址：

116051 辽宁省大连市经济开发区淮河东路157号

IPC主分类号：

H01L3320

IPC分类号：

H01L3310

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

郭玮;李双皓

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-06	授权	授权

共 50 条

[1]

发光二极管芯片 [P].

刘珊珊 ;

廖汉忠 ;

丁逸圣 ;

陈顺利 ;

李士涛 ;

宋林青 .

中国专利 :CN209709009U ,2019-11-29

[2]

发光二极管芯片 [P].

彭晖 ;

马欣荣 ;

闫春辉 .

中国专利 :CN201749876U ,2011-02-16

[3]

发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法 [P].

刘珊珊 ;

纪思美 ;

陈顺利 ;

李士涛 .

中国专利 :CN112510133A ,2021-03-16

[4]

发光二极管芯片、发光二极管 [P].

尹灵峰 ;

吴志浩 ;

高艳龙 ;

魏柏林 ;

王江波 .

中国专利 :CN209766464U ,2019-12-10

[5]

发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制作方法 [P].

王思博 ;

胡欢欢 ;

简弘安 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 ;

丁逸圣 .

中国专利 :CN109728143A ,2019-05-07

[6]

发光二极管及发光二极管芯片 [P].

余泰成 .

中国专利 :CN1855557A ,2006-11-01

[7]

发光二极管芯片 [P].

林明德 .

中国专利 :CN1819254A ,2006-08-16

[8]

发光二极管芯片 [P].

林新强 ;

陈滨全 .

中国专利 :CN103367591A ,2013-10-23

[9]

发光二极管芯片 [P].

J·埃蒙德 ;

J·伊贝特森 ;

M·J·伯格曼 ;

A·C·萨尔特 ;

D·T·埃默森 ;

A·奇特尼斯 ;

B·P·凯勒 ;

K·哈伯雷恩 .

中国专利 :CN301263474S ,2010-06-16

[10]

发光二极管芯片 [P].

L·赫佩尔 ;

K·恩格尔 .

中国专利 :CN103098242B ,2013-05-08

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