发光二极管芯片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200420150549.0

申请日：

2004-10-09

公开(公告)号：

CN2789935Y

公开(公告)日：

2006-06-21

发明(设计)人：

李刚吴启保王胜国

申请人：

申请人地址：

518000广东省深圳市南山区西丽镇龙井方大工业城

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

深圳市顺天达专利商标代理有限公司

代理人：

郭伟刚

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-06-21	授权	授权
2008-02-27	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更事项:专利权人变更前权利人:方大集团股份有限公司变更前:广东省深圳市南山区西丽镇龙井方大工业城,邮编:518000 变更后:广东省深圳市南山区西丽龙井方大城,邮编:518000 登记生效日:20080118 变更后权利人:深圳市方大国科光电技术有限公司变更事项:地址
2011-01-19	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101031488461 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2004201505490 申请日:20041009 授权公告日:20060621 终止日期:20091109

共 50 条

[1]

一种发光二极管芯片及其制备方法 [P].

李刚 ;

潘群峰 ;

吴启保 .

中国专利 :CN1787237A ,2006-06-14

[2]

一种发光二极管芯片的制作方法、芯片及发光二极管 [P].

刘晶 ;

叶国光 .

中国专利 :CN103456864A ,2013-12-18

[3]

发光二极管芯片结构 [P].

杜高云 ;

张淋 ;

邓群雄 ;

许雪芳 .

中国专利 :CN102867898A ,2013-01-09

[4]

发光二极管芯片 [P].

徐盛海 ;

金迎春 ;

徐瑾 .

中国专利 :CN303442172S ,2015-11-11

[5]

发光二极管芯片结构 [P].

杜高云 ;

张淋 ;

邓群雄 ;

许雪芳 .

中国专利 :CN202871851U ,2013-04-10

[6]

发光二极管芯片 [P].

汪延明 ;

姚禹 ;

许亚兵 ;

牛凤娟 ;

侯召男 .

中国专利 :CN202423369U ,2012-09-05

[7]

发光二极管芯片 [P].

洪越 .

中国专利 :CN109545927A ,2019-03-29

[8]

倒装焊发光二极管芯片的制备方法 [P].

李刚 ;

吴启保 ;

王胜国 .

中国专利 :CN100511731C ,2006-01-04

[9]

发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法 [P].

刘珊珊 ;

纪思美 ;

陈顺利 ;

李士涛 .

中国专利 :CN112510133A ,2021-03-16

[10]

发光二极管芯片及其制备方法 [P].

郑远志 ;

陈向东 ;

姚禹 ;

康建 ;

梁旭东 .

中国专利 :CN104241475A ,2014-12-24

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